| 发明名称 | 原子层沉积反应设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种原子层沉积(ALD)反应设备。该提供的设备包括：真空室，其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道；位于真空室内的反应器，其包括反应室和气体分配器，在反应室中，通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应，而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体；样品位置控制器，其将位于真空室内的样品移动到反应室内；以及分析器，其通过微管连接反应室，分析反应室内产生的气体。该提供的设备可通过维持反应气体的压力和流量来在样品上沉积均匀原子层，并同时沉积和分析原子层。 | ||
| 申请公布号 | CN1468975A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN03109510.0 | 申请日期 | 2003.04.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李在喆;任昶彬;韩贵暎 |
| 分类号 | C23C26/00;C23C14/00 | 主分类号 | C23C26/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种原子层沉积(ALD)反应设备，该设备包括：真空室，其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道；位于真空室内的反应器，其包括反应室和气体分配器，反应室中，通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应，而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体；样品位置控制器，其将位于真空室内的样品移动到反应室内；以及分析器，其通过微管连接反应室，分析反应室内产生的气体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||