发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
摘要 | 以往,在内置保护输出晶体管的火花抑制二极管的半导体集成电路中,因流向衬底的漏电电流大而不能获得所需的正向电流。本发明半导体集成电路装置的特征为,在第二外延层23表面重叠地形成了P+型第一及第二扩散区34、32。然后,在P+型第二扩散区32的正上方与正极电极39连接,使寄生电阻R1的阻值大于寄生电阻R1的阻值。这样,就可以抑制寄生PNP晶体管TR2的导通,抑制漏电电流流向衬底,进而大幅度地减小漏电电流。 | ||
申请公布号 | CN1469476A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
申请号 | CN03148768.8 | 申请日期 | 2003.06.25 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 大川重明;扇野广一郎 |
分类号 | H01L27/06 | 主分类号 | H01L27/06 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
主权项 | 1.一种半导体集成电路装置,其特征为包括:P/N型半导体衬底;至少一层N/P型外延层,层叠在该衬底表面上;第一N/P型埋层,形成在上述衬底与第一层外延层之间;第一P/N型埋层,形成在上述衬底与上述第一层外延层之间,且与上述第一N/P型埋层重叠;P/N型埋区,与上述第一P/N型埋层连接,且与形成在最上层外延层的第一P/N扩散区连接;N/P型埋区,与上述第一N/P型埋层连接,且与形成在上述最上层外延层的第一N/P型扩散区连接;以及第二N/P型扩散区,形成在被上述第一P/N型扩散区包围的上述最上层外延层上;形成在上述最上层外延层的第二P/N型扩散区与上述第一P/N型扩散区至少有一部分重叠,且正极电极连接在上述第一N/P型扩散区和上述第二P/N型扩散区上。 | ||
地址 | 日本大阪府 |