带有静电泄放结构的半导体器件

摘要

半导体器件静电泄放结构，包括P型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的N型阱；在N型阱一定区域中形成的P型槽阱；在N型阱表面形成并且掺杂浓度高于N型阱的N型有源保护环；在P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于P型槽阱的P型有源保护环；以及在P型槽阱表面形成的NMOS晶体管。即使静电电荷导致的负电压暂时加到NMOS晶体管漏区，也可防止P型半导体衬底上形成的内部电路出现故障。

主权项

1.一种带有静电泄放结构的半导体器件，包括：用P型杂质掺杂的半导体衬底；在所述半导体衬底的一定区域中形成的N型阱；在所述N型阱的一定区域中形成的P型槽阱；在所述N型阱的表面形成并且掺杂浓度高于所述N型阱的N型有源保护环；在所述P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于所述P型槽阱的P型有源保护环；在所述P型槽阱表面形成的N沟金属氧化物半导体晶体管；以及连接到所述的N沟金属氧化物半导体晶体管的漏区的地址压焊区，其中所述的N型阱通过所述N型保护环连接到电源供电端而所述的P型槽阱通过所述的P型保护环连接到地端。