首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD OF ENHANCED OXIDATION OF MOS TRANSISTOR GATE CORNERS
摘要
申请公布号 EP1382064(A2) 申请公布日期 2004.01.21
申请号 EP20010987463 申请日期 2001.12.27
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 DOKUMACI, OMER;GLUSCHENKOV, OLEG;HEDGE, SURYANARAYAN, G.;KAPLAN, RICHARD;KHARE, MUKESH
分类号 H01L21/3205;H01L29/786;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/320 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com