电子器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种电子器件及其制造方法。是在绝缘膜(12)上形成了布线沟(14)后，在布线沟(14)的附近的第2绝缘膜(12)上形成改质层(15)，然后，在布线沟(14)内形成布线(16)。接着，借助于刻蚀选择性地除去改质层(15)以形成缝隙(17)，之后，向该缝隙(17)内埋入本身为低介电常数膜的第3绝缘膜(18)。提供尽管用机械强度并不充分的低介电常数绝缘膜来降低布线间电容，但却可以实现具有充分的机械强度的布线构造的方法。

主权项

1.一种电子器件的制造方法，其特征在于：具备如下工序：向衬底上淀积绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成布线沟的工序；在所述绝缘膜中的所述布线沟附近形成改质层的工序；在所述形成改质层的工序之后，把导电膜埋入到所述布线沟内形成布线的工序；在所述形成布线的工序之后，采用除去所述改质层的办法形成缝隙的工序；以及向所述缝隙内埋入相对介电常数比所述绝缘膜小的低介电常数膜的工序。