一种制造半导体器件的方法

摘要

一种制造用于元件隔离的高可靠性浅槽隔离的半导体器件的方法。该方法包括：制备半导体衬底；在所述半导体衬底中形成槽；在对所述半导体衬底施加高频电压的同时，通过使用高密度等离子体CVD方法在所述半导体衬底上形成氧化硅膜，使所述氧化硅膜材料充满所述槽；在对所述半导体衬底施加高频电压的同时，通过使用高密度等离子体CVD方法在所述氧化硅膜上形成磷掺杂氧化硅膜；以及去除所述磷掺杂氧化硅膜和部分所述氧化硅膜。为使氧化硅膜材料充满槽，使形成在半导体衬底上的氧化硅膜厚度比槽深度厚。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：制备半导体衬底；在所述半导体衬底中形成槽；在对所述半导体衬底施加高频电压的同时，通过使用高密度等离子体CVD方法在所述半导体衬底上形成氧化硅膜，使所述氧化硅膜材料充满所述槽；在对所述半导体衬底施加高频电压的同时，通过使用高密度等离子体CVD方法在所述氧化硅膜上形成磷掺杂氧化硅膜；以及去除所述磷掺杂氧化硅膜和部分所述氧化硅膜；其中所述磷掺杂氧化硅膜的磷浓度等于或大于4wt％。