包括含氮部份与含氧部份之分裂式障壁层

摘要

一种分裂式障壁层藉防止N-H硷基团扩散至光阻(此处其使光阻不可溶)，使铜连接线可用于连接低k介电膜。分裂式障壁层排列在铜及低k介电膜间且包括接触铜之含氮无氧膜及接触低k介电膜之含氧无氮膜。含氮膜防止不适当之铜氧化物之形成，且含氧膜防止N-H硷基团扩散至低k介电膜。含氧膜可为在例示具体实施例中之氧搀杂碳化矽。在另一具体实施例，低k介电膜之膜堆叠包括蚀刻停止层及每一个形成氧搀杂碳化硬之硬罩。硬罩及蚀刻停止层使双道镶嵌开口在膜堆叠中形成，且本发明膜结构排除N-H硷基团由低k介电膜扩散并中和用于界定双道镶嵌开口之光阻中之酸触媒。