发明名称 密度不均多层膜之解析方法及其装置及系统
摘要 本发明提供一种能够以更简单且高精密度的方式,来解析密度不均多层膜内的粒子状物的分布状态及界面状态之崭新式密度不均多层膜之解析方法。其中具备有:藉由采用遵循显示出粒子状物的分布状态之吻合参数来表示X射线散射曲线之散射函数,在与实测X射线散射曲线的测定条件相同条件之下,算出模拟X射线散射曲线之步骤;以及一边变更吻合参数,一边进行模拟X射线散射曲线及实测X射线散射曲线的吻合之步骤;其中,于模拟X射线散射曲线及实测X射线散射曲线一致之际,将此时的吻合参数之值,设定为密度不均多层膜内的粒子状物的分布状态,藉此来解析密度不均多层膜内的粒子状物的分布状态,其特征为:采用导入有转移机率之函数来作为散射函数,而该转移机率系以多层膜的严密解为起始状态及终止状态。
申请公布号 TW200401107 申请公布日期 2004.01.16
申请号 TW092115350 申请日期 2003.06.06
申请人 理学电机股份有限公司 发明人 伊藤义泰;表和彦
分类号 G01N23/20 主分类号 G01N23/20
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本