发明名称 | 记忆元件及自动修复此记忆元件中的缺陷记忆单元之方法及存取此记忆元件的方法 | ||
摘要 | 一种可自动修复本身的记忆元件,包括工作单元阵列、冗余单元阵列、控制逻辑、以及查询表。工作单元阵列包括数个工作记忆单元,而冗余单元阵列包括数个冗余记忆单元。控制逻辑系用以控制将资料读取及写入至工作单元阵列及冗余单元阵列。查询表系用以储存冗余单元阵列中所储存之资料的位址。在自动修复缺陷记忆单元的方法中,当判断出工作记忆单元为缺陷时,会将资料写入至冗余记忆单元,并且在查询表中,会更新冗余记忆单元的位址与工作记忆单元的位址。也叙述一种存取记忆元件之方法。 | ||
申请公布号 | TW200401304 | 申请公布日期 | 2004.01.16 |
申请号 | TW092117779 | 申请日期 | 2003.06.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李民甫;刘康懋;严敏男 |
分类号 | G11C29/00 | 主分类号 | G11C29/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |