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发明名称
半导体记忆体装置及其控制方法
摘要
于一半导体记忆体装置,内含有具备一预定记忆容量之记忆组,一次级放大区块配置在分割为二区段之该记忆组之。次级放大器区块包含复数个次级放大器,其系透过一本地输出入线LIO而连接于配置在该二记忆体区域之感测放大器群组,以及一次级放大器控制电路,其用来控制该次级放大器。若次级放大器控制电路选择一字元线,则一控制操作将予执行以启动位于该字元线两侧上之次级放大器之仅其中一侧,因此能减少用来启动次级放大器之功率消耗。
申请公布号
TW200401295
申请公布日期
2004.01.16
申请号
TW092113986
申请日期
2003.05.23
申请人
尔必达存储器股份有限公司;日立制作所股份有限公司;日立ULSI系统股份有限公司
发明人
藤泽宏树;余公秀之
分类号
G11C11/409
主分类号
G11C11/409
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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