低温氧化矽晶圆之方法及装置

摘要

本发明提供了一种在低温下将一矽晶圆氧化之方法，该方法包含下列步骤：将一矽晶圆置于一真空室中；将该矽晶圆保持在大约为室温与400℃间之一温度中；将一氧化气体导入该真空室中，且系自其中包含笑气(N2O)、氧化氮(NO)、氧气、及臭氧(O3)的一组氧化气体中选出该氧化气体；以及以自一准分子雷射灯发射的光线来照射该氧化气体及该矽晶圆，以便产生氧自由基再生物，并在该矽晶圆上形成一个氧化物层，该步骤包括使该氧化气体光解，并使光电子自该矽晶圆射出，因而使该等光电子与该氧化气体相互反应。