双极电晶体及使用该双极电晶体之半导体装置

摘要

本发明系提供一种：能够降低集极－射极间饱和电压、尺寸小、可以较少步骤制造之双极电晶体，以及于同一基板上形成该双极电晶体与MOS电晶体而成之半导体装置。本发明系以围绕NPN电晶体10之基极领域13的方式，形成用来使集极－射极间饱和电压VCE(sat)降低之高浓度领域。由于该高浓度领域15无须形成至到达埋入层11的深度，故得以缩小其横方向之扩大。此外由于在形成与NPN电晶体10同时形成于同一矽基板30上的NMOS电晶体20的源极领域24与汲极领域25时，可在相同步骤中形成高浓度领域15，因此可省略用来形成高浓度领域15之专用的扩散步骤，而能以较少之步骤数来制造半导体装置1。