| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de commande d'une cellule de mémoire EEPROM (1) présentant un transistor à grille flottante (Mlec), le procédé présentant au moins une étape de fixation d'état de la cellule, l'étape de fixation d'état comprenant l'application simultanée de tensions de polarités opposées respectivement sur le drain (DF, DS) et sur la grille de commande (CG) du transistor à grille flottante, les tensions appliquées étant des impulsions présentant un profil optimisé.Ce procédé permet de réduire l'amplitude des tensions appliquées sur les électrodes de la cellule.L'invention concerne également un dispositif comprenant une cellule mémoire EEPROM et une alimentation de la cellule prévus pour la mise en oeuvre du procédé.</P> |
