| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE, NOTAMMENT CELLULE MEMOIRE DRAM AVEC CONTACT A FAIBLE FACTEUR DE FORME ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2828763(B1) |
申请公布日期 |
2004.01.16 |
| 申请号 |
FR20010010867 |
申请日期 |
2001.08.16 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
MAZOYER PASCALE;CAILLAT CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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