| 发明名称 |
Halbleiteranordnung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem aktiven Gebiet, sowie einer Metallisierungsschicht, bestehend aus zumindest einer ersten Metallebene und Verbindungsleitungen zwischen dem aktiven Gebiet und der Metallisierungsschicht, wobei die zumindest eine Metallebene in ein Intermetall-Dielektrikum gebettet ist, wobei eine UV-Schutzebene in die Metallisierungsschicht integriert ist sowie einem Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung.
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| 申请公布号 |
DE10229463(A1) |
申请公布日期 |
2004.01.15 |
| 申请号 |
DE2002129463 |
申请日期 |
2002.07.01 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
RIEDEL, STEPHAN;STEIN VON KAMIENSKI, ELARD;POLEI, VERONIKA;VOGT, MIRKO |
| 分类号 |
H01L21/8246;H01L23/552;H01L27/115;(IPC1-7):H01L23/552;H01L21/824;H01L23/52;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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