发明名称 Phasenverschiebungsmaske für optische Lithographie
摘要 Ein Photolithographieverfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Lichtintensitätsminima, die einem Punkt in einer Phasenverschiebungsmaske entsprechen, werden beschrieben. Die Phasenverschiebung in dem Licht, die durch die Maske erzeugt wird, variiert in einer Spiralweise um den Punkt, so daß die Phasenverschiebung, gemessen entlang der Linien, die durch die Fläche der Maske gezogen werden, die durch den Punkt laufen, einen 180 DEG -Sprung an dem Punkt haben, und Linien, die um den Punkt herumlaufen, keine Sprünge zwischen 130 und 230 DEG aufweisen, und insbesondere vorzugsweise keine Sprünge zwischen 100 und 260 DEG haben.
申请公布号 DE10329384(A1) 申请公布日期 2004.01.15
申请号 DE2003129384 申请日期 2003.06.30
申请人 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.;LEVENSON, MARC DAVID 发明人 LEVENSON, MARC DAVID
分类号 G03F7/20;G03F1/00;G03F1/28;G03F1/34 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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