发明名称 |
半导体存储器 |
摘要 |
多个存储块被分配相同的地址空间,以在其中写入相同的数据,并且可相互独立地操作。响应一个刷新命令,一个存储块被选择为执行刷新操作的刷新块,而响应读取命令,另一个存储块被选择为执行读取操作的读取块。然后,多个存储块以不同的时序执行读取操作,从而读取操作相互重叠。因此,该半导体存储器可以在比单个读取操作的执行时间更短的时间间隔接收读取命令。结果,可以高速地响应外部提供的读取命令,并且可以提高在读取操作过程中的数据传输速率。 |
申请公布号 |
CN1467852A |
申请公布日期 |
2004.01.14 |
申请号 |
CN03104113.2 |
申请日期 |
2003.02.13 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
柳下良昌;内田敏也;阪東能英;小林広之;山口秀策;奥田正樹 |
分类号 |
H01L27/108;G11C11/401 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
1.一种半导体存储器件,其中包括:具有存储单元的多个存储块,其被分配给相同的地址空间,以在其中写入相同的数据,并且可以相互独立地操作;刷新产生器,用于产生刷新所述存储单元的刷新命令;刷新控制单元,其选择其中一个所述存储块作为响应所述刷新命令执行刷新操作的刷新块;以及读取控制单元,用于选择除了所述刷新块之外的一个所述存储块作为响应读取命令执行读取操作的读取块,当在由读取块执行读取操作过程中提供新的读取命令时,该读取控制单元还选择除了该刷新块之外的在空闲状态中的另一个存储块,作为响应所述新的读取命令而执行读取操作的一个读取块。 |
地址 |
日本神奈川 |