具有以锯法完成的台面结构的半导体芯片

摘要

选用已知导电类型的内有平行于晶片主基面的平面p-n结的半导体晶片，晶片的一表面上覆盖一层氮化硅掩模层。穿过掩模锯出多个相交的槽，形成多个具有斜壁的台面，每个台面中都有一部分平面p-n结，其边缘与其侧壁相交且露在侧壁上。槽壁和裸露的p-n结边缘在将晶片加热的工艺中被玻璃包封，在无需制版的腐蚀剂掩模的选择腐蚀工艺条件下去除掩模层，露出台面顶部的硅表面，并将晶片两面镀金属。沿着通过槽的面切割晶片，制成单个芯片，每个芯片上有玻璃钝化的台面。

主权项

1.一种制造具有台面结构的半导体芯片的方法，包括以下各步骤：提供一其内具有平面p-n结的硅晶片，该结平行于晶片的第1表面和第2表面；用氮化硅掩摸层覆盖所说的第1表面；在所说的晶片上锯槽，但只锯进去一部分，从而形成其斜壁与所说的p-n结交接的台面；用玻璃第1钝化材料层包封所说的台面斜壁和p-n结被所说的壁交接的部位； 其后，去除所说的掩摸层，露出所说的晶片第1表面，作为所说的台面的上表面，同时，至少留下所说的玻璃层在间隔中的部分；然后，给所说的台面上表面和所说的晶片第2表面镀上金属。