发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
揭示了属于一种以半导体球状晶体上形成光感应电动势发生部和1对电极的一个或多个球状半导体元件为主体的半导体器件,作为半导体光触媒、光敏二极管或太阳能电池的半导体器件,属于一种以半导体球状晶体上形成pn结和1对电极的一个或多个球状半导体元件为主体的半导体器件,作为种种发光二极管、各种二极管或显示屏的半导体器件。图示半导体光触媒体1中,n型硅半导体球状晶体2上形成有p型扩散层6和pn结7,构成包含光感应电动势发生部16在内的微型光电池17,形成有夹着球状晶体2中心相对的1对电极14、15,SiO<SUB>2</SUB>被膜9、具有光触媒功能的TiO<SUB>2</SUB>被膜10。 |
申请公布号 |
CN1134847C |
申请公布日期 |
2004.01.14 |
申请号 |
CN96196237.2 |
申请日期 |
1996.10.09 |
申请人 |
中田仗祐 |
发明人 |
中田仗祐 |
分类号 |
H01L31/042;H01L31/06;G09F9/33 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
赵国华 |
主权项 |
1.一种半导体器件,其特征在于,包括构成为独立粒子形状的球状半导体元件,它含有:p型半导体或n型半导体的球状晶体;内置于该球状晶体表面或表面附近部分、与球状晶体共同起作用产生光感应电动势的光感应电动势发生部;在该光感应电动势发生部两侧并且在球状晶体表面相互隔离设置的至少1对电极。 |
地址 |
日本京都府城阳市 |