发明名称 |
使用三层金属互连的闪存架构 |
摘要 |
本发明揭示一种内存字线译码器,包括多个与总x-译码器电连接的预译码地址线。次x-译码器与总x-译码器电连接,用以接收从总x-译码器来的电控制信号。内存区段与次x-译码器电连接。总x-译码器选择性地控制次x-译码器以选择于内存区段中的多个字线。垂直x-译码器与总x-译码器和次x-译码器电连接。垂直x-译码器于操作期间通过总x-译码器而用来选择预定的字线。 |
申请公布号 |
CN1468435A |
申请公布日期 |
2004.01.14 |
申请号 |
CN00811962.7 |
申请日期 |
2000.07.14 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
科林·S·比尔;约拿森·徐辰·苏;瑞维·P·古特拉 |
分类号 |
G11C8/00;G11C16/08 |
主分类号 |
G11C8/00 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
戈泊;程伟 |
主权项 |
1.一种用于内存区段的内存字线译码器,包括:至少一个总x-译码器,此总x-译码器与多个预译码地址线电连接;至少一个次x-译码器,与该总x-译码器电连接,其中该总x-译码器选择性地控制该次x-译码器,反应于从该多个预译码地址线接收的信号,致能于该内存区段中的多个字线;和垂直x-译码器,与该总x-译码器和该次x-译码器电连接,其中该垂直x-译码器用来于该内存区段选择预定的字线。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |