同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件

摘要

一种同一源区偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器集成器件，包括：一n型重掺杂磷化铟衬垫；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方；一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬垫上；一无掺杂铟镓砷磷下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一无掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一无掺杂铟镓砷磷上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂磷化铟盖层，该盖层制作在上限制层上；一电吸收调制器部分，该调制器部分制作在盖层上的一侧；一半导体放大器部分，该半导体放大器部分制作在盖层上的另一侧；在电吸收调制器部分与半导体放大器部分之间有一隔离沟，该隔离沟是50μm；在上述结构的两侧制作有二氧化硅/二氧化钛增透膜。

主权项

1、一种同一源区偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器集成器件，其特征在于，该器件包括：一n型重掺杂磷化铟衬垫；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬垫上；一无掺杂铟镓砷磷下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一无掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一无掺杂铟镓砷磷上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂磷化铟盖层，该盖层制作在上限制层上；一电吸收调制器部分，该调制器部分制作在盖层上的一侧；一半导体放大器部分，该半导体放大器部分制作在盖层上的另一侧；在电吸收调制器部分与半导体放大器部分之间有一隔离沟，该隔离沟是50μm；在上述结构的两侧制作有二氧化硅/二氧化钛增透膜。