发明名称 形成开口图案的方法及其应用
摘要 一种形成开口图案的方法及其应用,此方法首先在一基底上形成一材料层,并且在材料层上形成一图案化的保护层。接着在图案化的保护层上形成一光阻层,并且进行一第一曝光工艺,以定义光阻层为一线/间距图案,其中第一曝光工艺的曝光能量低于光阻层成像的能量。之后进行一第二曝光工艺,以定义出一特定区域,其中第二曝光能量与第一曝光能量的总和为光阻层成像的能量。然后进行一显影工艺,以移除特定区域处的光阻层,暴露出部分图案化的保护层与部分材料层。之后以光阻层与图案化的保护层为一蚀刻罩幕,以于材料层中形成一开口图案。
申请公布号 CN1467790A 申请公布日期 2004.01.14
申请号 CN02141381.9 申请日期 2002.07.09
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张庆裕
分类号 H01L21/027;G03F7/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种形成开口图案的方法,其特征是,该方法包括:提供一基底,该基底上已形成有一材料层;在该材料层上形成一图案化的保护层;在该图案化的保护层上形成一光阻层;进行一第一曝光工艺,以定义该光阻层为一线/间距图案,其中该第一曝光工艺的一第一曝光能量低于该光阻层成像的能量;进行一第二曝光工艺,以于该光阻层中定义出一特定区域,其中该第二曝光工艺的一第二曝光能量低于该光阻层成像的能量,且该第一曝光能量与该第二曝光能量的总和至少为该光阻层成像的能量;进行一显影工艺,以移除该特定区域处的该光阻层,暴露出部分该图案化的保护层与部分该材料层;以及以该光阻层与该图案化的保护层为一蚀刻罩幕,图案化该材料层,以于该材料层中形成一开口图案。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号