快速EEPROM单元及其制造方法、编程方法和读出方法

摘要

本发明涉及一快速EEPROM单元及其制造方法、编程方法和读取方法，特别涉及以这种方式所构成的一快速EEPROM单元，即在一沟道区的顶部形成二个浮动栅以实现一存贮单元并从该存贮单元可对4个数字信息编程和读出，并根据二个浮动栅的每一个的编程和擦除而得到4个数字信息的一输出。

主权项

1.一种对快速EEPROM单元编制程序的方法，所述快速EEPROM单元具有水平地相互邻接并通过隧道氧化物膜与硅基片电隔离的第一和第二浮动栅，在所述第一和第二浮动栅上形成的介电膜，在所述介电膜上形成的控制栅，在所述硅基片中形成的源极区和漏极区，以及分别与所述第一和第二浮动栅部分重叠的区域，所述方法包括以下步骤：将偏压加到所述控制栅、所述源极区和漏极区，使得热电子被注入所述第一和第二浮动栅；根据被加到所述控制栅、所述源极区和漏极区的偏压的状态有选择地释放注入到所述第一和第二浮动栅的所述热电子，使得4个数字信息通过以下方式被编程到所述快速EEPROM单元中：利用比加到所述漏极高的所述偏压，地电位加到所述源极，以将热电子注入到所述第一和第二浮动栅；将地电位加到所述控制栅，以将所述热电子释放到所述第二浮动栅，浮动所述源极区，并把比加到所述控制栅的电压要高的电压加到所述漏极；以及将地电位加到所述控制栅，以释放注入到所述第一和第二浮动栅的热电子，并把比加到所述控制栅的电压要高的电压加到所述源极区和漏极区。