铜深腐蚀方法

摘要

本发明提供一种腐蚀铜层的方法，该方法能够去除希望的导电互连结构的不需要的膜部分，同时避免结构的过腐蚀和在被腐蚀铜层表面上形成侵蚀表面沾污。深腐蚀所淀积的铜层到含有填充有铜的沟槽和通道的上或“场”表面。可以利用低温区，主要利用铜表面的物理轰击，在衬底表面上进行铜层深腐蚀。或者，在约150℃的高温区，利用三种不同的腐蚀剂，进行深腐蚀。腐蚀等离子体可以仅由非反应气体形成，仅由产生氯或氟等反应物质的气体形成，或可由用于调节选择性和腐蚀速率的非反应气体的组合形成。

主权项

1、用于在低于150℃的温度下深腐蚀铜互连层的方法，所说方法包括以下步骤：a)向等离子腐蚀工艺室供应至少一种不与铜化学反应的气体；b)用所说至少一种气体产生等离子体，在衬底表面上提供均匀的离子密度；c)通过在所说衬底上加偏置，将离子和激发原子从所说等离子体引向包括铜层的衬底表面；及d)至少去除淀积于所说衬底表面上的所说铜层的一部分，同时保留所说衬底表面内部的所说铜层部分。