确定背栅特性的方法和装置

摘要

确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一C－V曲线30表示加于晶片20正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片20用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片20背面得出第二C－V曲线32。根据从所述第一C－V曲线30和第二C－V曲线32得出的电压漂移量34，对晶片20确定半导体电路元件的背栅特性。

主权项

1.一种确定背栅特性的方法，用于确定半导体电路元件的背栅效应特性，其特征在于，所述确定背栅特性的方法包括如下步骤：获得第一C-V特性，它表示加于要成为半导体电路元件衬底之晶片正面的电压与晶片电容值之间的关系；在加给晶片背面电压的同时，获得晶片的第二C-V特性；以及比较所述晶片的第一C-V特性和第二C-V特性，确定半导体电路元件的背栅效应特性。