| 发明名称 | 半导体器件的电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件中电容器的制造方法，尤其涉及可稳定地在下层电极上形成氮化物层，并获得稳定的电容量和漏电流特性的改善的电容器的制造方法。本发明用于制造电容器的方法包括步骤：在衬底上形成下层电极；在下层电极上形成氮化物基第一介电薄层；在氮化物基第一介电薄层上，藉沉积Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>层，形成第二介电薄层；在第二介电薄层上形成第三介电薄层；以及在第三介电薄层上形成上层电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1467823A | 申请公布日期 | 2004.01.14 |
| 申请号 | CN03122556.X | 申请日期 | 2003.04.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴钟范;吴勋静;金京民 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/28;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件中的电容器的方法，包括下列步骤：形成下层电极于衬底上；形成氮化物基第一介电薄层于下层电极上；藉由沉积Al2O3层于氮化物基第一介电薄层上来形成第二介电薄层；形成第三介电薄层于第二介电薄层上；以及形成上层电极于第三介电薄层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||