| 主权项 |
1.一种堆叠式之小型记忆卡构造,其系用以装设于一电子装置内,其包括有:一上层记忆卡,其包括有一第一基板、至少一个记忆体晶片、一第一散热片及一第一封胶层,该第一基板设有一上表面及一下表面,该上表面形成复数个接点、复数个金手指电连接该接点及复数个由该上表面贯通至该下表面之通孔,该通孔内填充有金属,该记忆体晶片系设于该第一基板之上表面,并电连接该第一基板之接点,该第一散热片系设于该第一基板之下表面,并与该通孔内之金属接触,该第一封胶层系将该记忆体晶片覆盖住,该上层记忆卡系用以装设于该电子装置内,使该第一基板之金手指与该电子装置电连接;及一下层记忆卡,其包括有一第二基板、至少一个记忆体晶片、一第二散热片及一第二封胶层,该第二基板设有一上表面及一下表面,该下表面形成复数个接点、复数个金手指电连接该接点及复数个由该上表面贯通至该下表面之通孔,该通孔内填充有金属,该记忆体晶片系设于该第二基板之下表面,并电连接该第二基板之接点,该第二散热片系设于该第二基板之上表面,并与该通孔内之金属接触,该第二封胶层系覆盖于该记忆体晶片上,该上层记忆卡系用以装设于该电子装置内,使该第二基板之金手指与该电子装置电连接,该上层记忆卡之第一散热片系叠设于该下层记忆卡之第二散热片上。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该上层记忆卡之记忆体晶片系藉由复数条导线电连接于该第一基板之复数接点上。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该第一基板之复数个通孔内之金属为铜。4.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该第一散热片可为铜片或铝片。5.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该下层记忆卡构造之记忆体晶片系藉由复数条导线电连接于该第二基板之接点上。6.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该第二基板之复数个通孔内之金属为铜。7.如申请专利范围第1项所述之堆叠式之小型记忆卡构造,其中该第二散热片可为铜片或铝片。图式简单说明:图1为习知小型记忆卡构造之示意图。图2为本创作堆叠式之小型记忆卡构造之第一示意图。图3为本创作堆叠式之小型记忆卡构造之第二示意图。 |
