| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆胞阵列,其系由复数个储存记忆胞以阵列的方式排列组合而成,该非挥发性记忆胞阵列系包括:复数条位元线,其系连接横列上的复数记忆胞;复数条字元线,其系连接上下纵行的复数记忆胞;以及复数个储存记忆胞,每一该字元线与每一该位元线的组合各代表一个特定的储存记忆胞,且每一储存记忆胞包含一电容器及一电晶体,该电晶体之源极系电连接至相对的该位元线,而闸极与汲极则共同串接至相对之字元线并形成电连接。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞阵列,其中该储存记忆胞在读取模式时,该储存记忆胞之电晶体的该位元线电压为一电源电压,且该字元线电压为零,其余字元线电压为电源电压或浮接状态,而其余位元线电压则为零。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞阵列,其中该储存记忆胞在程式化模式时,该储存记忆胞之电晶体的该位元线电压为一高电压(Vpp),且该字元线电压为零,其余字元线为浮接状态,而其余位元线电压则为零。4.如申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆胞阵列,其中该程式化模式系利用通道热电子注入技术完成资料之写入。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞阵列,其中在延着该字元线之储存记忆胞之电晶体进行抹除模式时,延该字元线之储存记忆胞之电晶体位元线电压为零,且该字元线电压为高电压(Vpp),而其余字元线电压则为零。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞阵列,其中该抹除模式系利用福勒-诺得汉(Fowler-Nordheim)隧穿(简称F-N隧穿)技术进行资料抹除。图式简单说明:第一图为习知挥发性记忆胞阵列之电路结构示意图。第二图为本创作之记忆胞阵列的电路结构示意图。第三图为本创作之储存记忆胞的电压对电流之曲线图。第四图为本创作之储存记忆胞的程式化/抹除效益曲线图。 |
