| 主权项 |
1.一种位准移变器,包含:一第一开关依照一控制信号CNT操作并接收一输入信号;一电压变换电路将具有电压且经由该第一开关被传输之该输入信号变换为具有不同电压之输出信号,并输出该信号;以及一第二开关连接其输出节点至被具有该电压变换电路应依照该输入信号输出之电压的一电压线路。2.如申请专利范围第1项所述之位准移变器,其中:该第一开关、该电压变换电路、与该第二开关每一均包括至少一pMOS电晶体与nMOS电晶体;以及该等pMOS电晶体之门槛电压彼此相等且(或)该等nMOS电晶体之门槛电压彼此相等。3.如申请专利范围第1项所述之位准移变器,其中:该电压变换电路具有一对CMOS反相器以其输入与输出彼此被连接且依照其各别逻辑位准被供应一高位准电压与一低位准电压;该第二开关具有一nMOS电晶体,其在该等CMOS反相器之一的nMOS电晶体应接通时接通,且其供应该低位准电压至该输出节点,该等CMOS反相器之一接收该输入信号。4.如申请专利范围第1项所述之位准移变器,其中:该电压变换电路具有一对CMOS反相器以其输入与输出彼此被连接且依照其各别逻辑位准被供应一高位准电压与一低位准电压;该第二开关具有一pMOS电晶体,其在该等CMOS反相器之一的pMOS电晶体应接通时接通,且其供应该高位准电压至该输出节点,该等CMOS反相器之一接收该输入信号。图式简单说明:第1图显示惯用之位准移变器的电路图。第2图为一电路图,显示依据本发明之位准移变器的第一实施例。第3图为一时间图,显示第2图之位准移变器的操作。第4图为一电路图,显示一DRAM之轮廓,本发明之位准移变器已被应用于此。第5图为一电路图,显示依据本发明之位准移变器的第二实施例。第6图为一时间图,显示第5图之位准移变器的操作。 |
