| 主权项 |
1.一种用以限制短期或长期过电压(U)之装置,具有:一可变电阻器(1),一放电路径,其可与可变电阻器并联并有一切换点(4),该切换点的未中断之电流负载容量大于可变电阻器之负载容量,及在信号限制値(UT)以上操作切换点(4)的操作装置,该信号限制値与可变电阻器(1)操作变数(IV,UR,TV,H)有关,其特征为一轴向对称外壳(22),具有至少二区(24,36,28),其在轴方向(20)上彼此有一距离,该可变电阻器系安排在第一区(24),切换点则安排在第二区(26),及一电磁屏蔽之第三区(28),容纳该操作装置。2.如申请专利范围第1项之装置,其特征为第三区(28)系安排在第一区(24)与第二区(26)之间,并包含一控制装置(5)作为该操作装置,该控制装置具有输入(6)供至少一信号(IV,UR,T,H)之用,该至少一信号与一操作变数有关,及该输入供其他输入(I,IS)之用,其可被提供并与操作变数有关,该控制装置具有一触发单元(8),其检查切换状态及产生一切换信号,该控制装置具有一输出依切换点动作,该控制装置具有一信号处理单元(7),以处理与操作变数有关之信号,及/或该控制装置具有一放大器(9),其放大该切换信号。3.如申请专利范围第2项之装置,其特征为控制装置(5)进一步含用于额外输入信号之输入(6),及一电子组件或转换单元,其集积在触发单元(8)内,用以根据一由该切换状态决定的控制算法链接与一操作变数有关之信号(IV,UR,T,H)及一额外输入信号。4.如申请专利范围第2项之装置,其特征为控制装置(5)进一步包含用于额外输入信号之输入(6),及一电子组件或转换单元集积在触发单元(8)内,以根据一由切换状态决定的控制算法链接与操作变数有关之信号(IV,UR,T,H)及一额外输入信号。5.如申请专利范围第1项之装置,其特征为该至少一操作变数为可变电阻器所载负之电流(IV)、该电流之磁场(H)、跨可变电阻器之剩余电压(UR)及/或可变电阻器(1)之温度(TV)。6.如申请专利范围第5项之装置,其特征为切换点(4)具有一可被控制装置(5)驱动之功率半导体。7.如申请专利范围第6项之装置,其特征为如果剩余电压(UR)选为该操作变数,控制装置(5)有一触发元件(10),其可在剩余电压限制値(UT)以上被启动,并且其型式为分压器或电压限制器。8.如申请专利范围第6项之装置,其特征为,如果可变电阻器电流(IV)或其磁场(H)被选为该操作变数,控制装置(5)有一触发元件,其可在电流或磁场之限制値以上被启动,并且其型式为一开关(SI),其与电流密度或磁场强度有关。9.如申请专利范围第6项之装置,其特征为,如果可变电阻器温度(TV)选为该操作变数,控制装置(5)有一触发元件,其可在温度限制値以上动启动,并且其型式为一温度依存开关(ST)。10.如申请专利范围第2至9项的任一项之装置,其特征为第一区(24)及第二区(26)系安排在四个电流载负板(30,32,34,36)之二个之间,其彼此间有一轴向距离并与对称轴(20)成直角对齐,其中二外板(30,36)每一构成此装置之二电流连接之一,及二内板(32,34)位于其间,彼此为电隔离及每一与装置之二电流连接之一成导电连接,及与可变电阻器(1)及切换点(4)之二电流连接之一连接。11.如申请专利范围第10项之装置,其特征为二外板(30,36)之第一板(30)及二内板(32,34)之第一板(34)以导电方式由第一螺钉(38)彼此系紧在一起,一第二内板(32)系安排在第一外板(30)与第一内板(34)之间,与第二外板(36)以第二螺钉(39)以导电方式彼此系紧在一起。12.如申请专利范围第11项之装置,其特征为第一螺钉(38)通过第二内板(32)之开口,第二螺钉(39)通过第一内板(34)之开口,该等开口较螺钉为大。13.如申请专利范围第12项之装置,其特征为第三区(28)与第一内板(34)及一中间板(44)成电磁屏蔽,该中间板电连接于可变电阻器(1)之电流连接。14.如申请专利范围第13项之装置,其特征为一通过第二区(26)之中心销(52)被引进第一内板(34)。15.如申请专利范围第10项之装置,其特征为平面绝缘(40)系设于二外板(30)之一与二内板(32)之一之间,且该等二内板(32,34)嵌入绝缘(50)中,该绝缘在二外板(30,36)间延伸。图式简单说明:图1显示本发明供限制短期及长期过压U之装置之纲要电路图,装置具有可变电阻器及与可变电阻器并联之放电路径,及有一可由可变电阻器之操作变数控制之切换点,图2显示图1之本发明电压限制器之一实施例之电路图,其中,可变电阻器之剩余电压UR,与过压有关,其用来作为操作变数以控制切换点,图3显示概要说明剩余电压UR之轮廓,其发生在图2电压限制器上,由过压U造成之电流I之轮廓,可变电阻器载负之电流IV之轮廓及流经切换点之电流IS之轮廓,均以时间t为函数,图4为图2所示之电压限制器之实施例之电路图,以供交流电之应用及一切换点含二背至背并联之矽控整流器,图5显示图2中电压限制器之一实施例供直流应用之电路图,并有一矽控整流器为切换点,图6显示图2中另一电压限制器供交流应用之电路图,及供含二背至背并联之矽控整流器之应用,图7显示图1中之另一电压限制器之实施例供直流应用之电路图,其矽控整流器为切换点,其中电流IV流经可变电阻器,矽控整流器之温度T作为操作变数以控制切换点,图8显示图1中电压限制器之供交流应用之电路图,以一背对背并联矽控整流器为切换点,其中,通过可变电阻器之电流IV及可变电阻器之温度Tv为操作变数以控制切换点,图9显示供直流应用之电压限制器之实施例之电路图,以一IGBT为切换点,其中通过可变电阻器之电流IV及可变电阻器之温度TV为操作变数以控制切换点,图10显示图1中之供交流应用之电压限制器之电路图,以背对背并联之IGBT为切换点,其流过可变电阻器之电流IV及可变电阻器之温度TV作为操作变数以控制切换点,图11显示一实施例之各别说明,其型式为图4,6,8或10所示之电压限制器之一装置,其中之绝缘已被移除,图12显示图11中电压限制器之侧面图,其说明二功率半导体之区域中部分立体图,功率半导体作为切换点,及图13显示图11中电压限制器沿XIII-XIII线之平面图,其中之绝缘现在存在。 |
