| 主权项 |
1.一种原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法使用一资料库,用以记录暂时性资料,以进行下列步骤:(A)设置一模具,并于该模具本体上制作至少一个监测记号;(B)于模具外围设置至少一监测装置与至少一发射源;(C)于奈米压印微影制程前,进行发射源对监测记号之投射,并以监测装置获得至少一条干涉条纹,将该干涉条纹转换为输出信号,并由资料库记录为参考条纹;(D)于压印模具开始与压印材料接触至完成整体压印过程,进行复数次光源对监测记号之投射,并将投射后侦测到之复数条干涉条纹转换为输出信号,输入资料库记录;(E)将资料库内之干涉条纹与参考条纹做比较;以及(F)将步骤(E)之比较结果,经由判断步骤,发出控制讯号。2.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(A)之模具为用来制作微型结构之模具。3.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(A)之模具为用来制作微尺度图样之模具。4.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(B)之监测装置为光学监测装置。5.如申请专利范围第4项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法之光学监测装置为CCD监测装置。6.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(B)之发射源利用光学方式所构成。7.如申请专利范围第6项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法在利用光学方式所构成之发射源与模具间,加入光调整器。8.如申请专利范围第7项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法之光调整器为分光镜。9.如申请专利范围第7项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法之光调整器为衰减器。10.如申请专利范围第6项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法利用光学方式所构成之发射源为雷射光源。11.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(B)之发射源利用电学方式所构成。12.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(B)之发射源利用磁学方式所构成。13.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(B)之发射源利用电磁学方式所构成。14.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(C)之资料库透过个人电脑处理。15.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(F)之控制讯号用以停止模具运作。16.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(F)之控制讯号用以使机台发出警报讯号。17.如申请专利范围第1项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测方法,其中该方法步骤(F)之控制讯号用以使监测装置继续侦测。18.一种原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,该系统包括:一模具,并于该模具本体上制作至少一个监测记号;至少一发射源,设置于该模具之外围;一监测装置,设置于该模具之外围;一资料库,记录暂时性的资料,该资料库包含至少一个处理即时侦测该模具之监测记号的程式码,其中该程式码执行下列步骤:(A)于奈米压印微影制程前,进行发射源对监测记号之投射,并以监测装置获得至少一条干涉条纹,将该干涉条纹转换为输出信号输入至个人电脑处理,并由资料库记录为参考条纹;(B)于压印模具开始与压印材料接触至完成整体压印过程,进行复数次发射源对监测记号之投射,并将投射后侦测到之复数条干涉条纹转换为输出信号,并由资料库记录;(C)将资料库内之干涉条纹与参考条纹做比较;以及(D)将步骤(C)之比较结果,经由判断步骤,发出控制讯号。19.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之模具为用来制作微型结构之模具。20.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之模具为用来制作微尺度图样之模具。21.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之监测装置为光学监测装置。22.如申请专利范围第21项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之光学监测装置为CCD监测装置。23.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之发射源利用光学方式所构成。24.如申请专利范围第23项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统在利用光学方式所构成之发射源与模具间,加入光调整器。25.如申请专利范围第24项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之光调整器为分光镜。26.如申请专利范围第24项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之光调整器为衰减器。27.如申请专利范围第23项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统利用光学方式所构成之发射源为雷射光源。28.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之发射源利用电学方式所构成。29.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之发射源利用磁学方式所构成。30.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之发射源利用电磁学方式所构成。31.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统之资料库透过个人电脑处理。32.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统资料库之程式码所执行之步骤(D)的控制讯号,用以停止模具运作。33.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统资料库之程式码所执行之步骤(D)的控制讯号,用以使机台发出警报讯号。34.如申请专利范围第18项所述之原位式奈米压印微影技术之模具变形监测系统,其中该系统资料库之程式码所执行之步骤(D)的控制讯号,用以使监测装置继续侦测。图式简单说明:第一图为本发明之方块示意图。第二图为本发明第一较佳实施方式之方块示意图。第三图为本发明第二较佳实施方式之系统示意图。第四图为本发明第三较佳实施方式之系统示意图。第五图系本发明方法之流程图。第六图系本发明之具变形监测记号之压印模具。 |
