| 主权项 |
1.一种薄膜电阻器之形成方法,包含:提供一绝缘基板;于该绝缘基板上形成一导体层;在该导体层上覆盖一片预定图形的隔离罩;在该经覆盖隔离罩的导体层及绝缘基板上形成一电阻层;将该隔离罩自该导体层表面移除,藉以将该电阻层图形化;利用一非光蚀刻网版印刷法及能量射束烧蚀法除掉该图形化之电阻层的一部份,使该电阻层具有一预定之电阻値。2.如申请专利范围第1项所述薄膜电阻器之形成方法,其中所称绝缘基板是从玻璃绝缘基板或陶瓷绝缘基板或环氧树脂基板构成之群组中所选用的一种绝缘基板。3.如申请专利范围第1项所述薄膜电阻器之形成方法,其中该薄膜电阻层是从氮化钽电阻材料,矽化钽电阻材料,钽铬合金电阻材料,镍铬合金电阻材料,镍铬铝合金电阻材料,钌电阻材料,锰铜电阻材料,镍铜电阻材料,矽化铬电阻材料,以及前述电阻材料更高序数的合金构成之群组中选用的一种电阻材料所形成。4.如申请专利范围第1项所述薄膜电阻器之形成方法,其中所称非光蚀刻能量射束烧蚀法是从雷射光束烧蚀法,聚焦离子束烧蚀法,溶胶凝胶(sol-gel)法和聚焦电子束烧蚀法构成之群组中所选用的一种烧蚀法。图式简单说明:图1为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第一步骤的截面图;图2为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第二步骤的截面图;图3为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第三步骤的截面图;图4为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第四步骤的截面图;图5为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第五步骤的截面图;图6为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第六步骤的截面图;图7为说明本发明的薄膜电阻器制造方法的一实施例中的第七步骤的截面图;图8为依照本发明的薄膜电阻器的制造方法所制成的成品的截面视图。 |
