发明名称 基板的处理方法
摘要 【课题】防止在具备真空隔绝室的处理装置的待机室内的电浆的产生。【解决手段】降低待机室2以及处理反应室3内的压力到数Pa(巴斯卡),使载置台22上升,在处理反应室3内面对未处理的基板,并且,以载置台22机密地封闭处理反应室3的下端开口。然后,使用配管21将氮气导入待机室2内,提高待机室2的压力到200~3000Pa,与此并行将灰化用气体导入处理反应室3内。其结果处理反应室3内的压力为100Pa左右。在此状态下,对处理反应室3的电极施加高频,在处理反应室3内使电浆产生,以灰化处理基板W。
申请公布号 TW571359 申请公布日期 2004.01.11
申请号 TW091102077 申请日期 2002.02.06
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 大渊一人;水谷薰;松下淳
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种基板的处理方法,系以产生电浆的处理反应室与待机室构成在减压下处理基板的处理部,使用在待机室附设真空隔绝室的处理装置,其特征为:令该处理反应室内为减压状态,使电浆产生而处理基板间系提高该待机室内的压力到电浆不产生的压力。2.如申请专利范围第1项所述之基板的处理方法,其中令在该处理反应室内处理基板间的该待机室的压力为200Pa-3000Pa。图式简单说明:图1系实施与本发明有关的处理方法的装置的全体斜视图。图2系说明同处理方法于制程顺序的图。图3系说明同处理方法于制程顺序的图。图4系说明同处理方法于制程顺序的图。
地址 日本