| 主权项 |
1.一种用以在功能性电子电路附近制造拟似金属填补图案之方法,其系包括:a.在其功能性电子电路四周,建立一边际区域;b.修整一拟似填补图案,使至该边际区域,藉以建立一修整成之填补图案;以及c.覆叠此修整成之填补图案与其功能性电子电路。2.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,以及其进一步系包括:在步骤b与步骤c之间,移除过量之金属。3.如申请专利范围第2项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之过量金属,系至少为一金属细条。4.如申请专利范围第3项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之金属细条,为一于其边际区域由其拟似填补图案移除时所建立之金属薄条片。5.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之拟似填补图案,为一他型功能性电子电路之范例。6.如申请专利范围第5项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之他型功能性电子电路,在选择上系与其附近之功能性电子电路相似。7.如申请专利范围第5项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之他型功能性电子电路,系一来自其上面要使用上述拟似金属填补图案之金属薄层的功能性电子电路之一选定部分。8.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之拟似填补图案,系建立在一LCOS阵列之金属薄层上面。9.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之拟似填补图案,系建立在一LCOS阵列之面镜薄层下方的薄层上面。10.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之拟似填补图案,系建立在一反射型LCOS阵列之薄层上面。11.如申请专利范围第1项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,以及其进一步系包括:在步骤a与步骤b之间,选择一金属填补图案。12.如申请专利范围第11项所述用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之拟似填补图案,系选择使为上述他型功能性电子电路之一图案。13.如申请专利范围第1项用以制造拟似金属填补图案之方法,其中之边际区域,系藉由成长上述功能性电子电路之区域而建立成。14.一种金属填补图案,其系包括:一第一电子电路图案;一在此第一电子电路图案四周之边际区域;和一第二电子电路图案,其中:其第二电子电路图案,系加以修整以使避开其边际区域。15.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第一电子电路图案,系一功能性电子电路。16.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第二电子电路图案,在电气上非属功能性。17.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第二电子电路图案,系选择使为一在位置上靠近一金属薄层上面之第一电子电路图案的功能性电子电路图案。18.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第一电子电路图案和第二电子电路图案,系一反射型LCOS阵列之金属薄层上面的图案。19.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第一电子电路图案和第二电子电路图案,系一反射型LCOS阵列之单一金属薄层上面的图案。20.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中至少有一为自其第二电子电路图案移除之矫作物。21.如申请专利范围第20项所述之金属填补图案,其中之矫作物,系包括其第二电子电路图案被修整过后遗留下来之金属细条。22.如申请专利范围第14项所述之金属填补图案,其中之第二电子电路图案,系一被用作拟似填补金属之功能性电子电路图案。23.一种可在一LCOS阵列中制造拟似填补图案之方法,其系包括:自其阵列之一薄层上面的功能性电子电路,选择一金属填补图案;以及以此金属填补图案,来填补一未填满之区域。24.如申请专利范围第23项所述用以制造拟似填补图案之方法,以及其进一步系包括:以一部份金属填补图案,来填补一部份填满之区域。图式简单说明:第1图系一可依据本发明用以建立拟似金属填补图案之方法的流程图;第2图系一可采用本发明之方法和结构等的反射型LCOS阵列之概略横截面正视图;第3图系一可显示一建立在其四周之安全边际的功能性电子电路之范例;第4图系一依据本发明之填补区域的范例;第5图系一依据本发明之拟似金属图案的范例;第6图系一被修整使配合第3图之填补区域的拟似金属图案之范例;第7图系第5图之拟似金属图案被修整使符合其设计标准的范例;而第8图则系第2图之功能性电子电路与第6图之拟似金属图案相结合的一个范例。 |
