| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:基板(1);直接或间接位在该基板之上之第一半导体晶片(3或4);及位在该第一半导体晶片之上之第二半导体晶片(2),而第二半导体晶片具有比该第一半导体晶片大之尺寸。2.如申请专利范围第1项之装置,其中还包含介于该第一和第二半导体晶片之间之黏着层(2a)。3.如申请专利范围第2项之装置,其中还包含连接在该第一半导体晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之薄部分(203)。4.如申请专利范围第2项之装置,其中还包含连接在该第一半导体晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之凹槽部分。5.如申请专利范围第1项之装置,其中还包含黏贴在该第二半导体晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该第一半导体晶片。6.如申请专利范围第2项之装置,其中还包含黏贴在该第二半导体晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该第一半导体晶片,该补强部分的材料系和该黏着层的材料相同。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该补强部分比该黏着层厚。8.一种半导体装置,包含:基板(1):及许多堆叠在该基板上之半导体晶片(2,3,4),该等半导体晶片中,上面的晶片较该半导体晶片下面的晶片大。9.如申请专利范围第8项之装置,其中还包含提供在该半导体晶片之上面的晶片之背面上之黏着层(2a)。10.如申请专利范围第9项之装置,其中还包含连接在该半导体晶片之该下面的晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之薄部分(203)。11.如申请专利范围第9项之装置,其中还包含连接在该半导体晶片之该下面的晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之凹槽部分。12.如申请专利范围第8项之装置,其中还包含黏贴在该半导体晶片之该上面的晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该半导体晶片之该下面的晶片。13.如申请专利范围第9项之装置,其中还包含黏贴在该半导体晶片之该上面的晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该半导体晶片之该下面的晶片,该补强部分之材料系和该黏着层的材料相同。14.如申请专利范围第13项之装置,其中该补强部分比该黏着层厚。15.一种半导体装置,包含:基板(1);及许多堆叠在该基板上之半导体晶片(2,3,4),该半导体晶片中具有最大尺寸之晶片并不是该半导体晶片之最下面的晶片。16.如申请专利范围第15项之装置,其中还包含提供在该半导体晶片中之该晶片背面上之黏着层(2a)。17.如申请专利范围第16项之装置,其中还包含连接直接在一半导体晶片下方之另一半导体晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及黏着层具有封装该焊接线之薄部分(203)。18.如申请专利范围第16项之装置,其中还包含连接其他晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之凹槽部分。19.如申请专利范围第15项之装置,其中还包含黏贴在该半导体晶片之该晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该半导体晶片的其他晶片。20.如申请专利范围第16项之装置,其中还包含黏贴在该半导体晶片之该晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该半导体晶片的其他晶片,该补强部分之材料系和该黏着层的材料相同。21.如申请专利范围第20项之装置,其中该补强部分比该黏着层厚。22.一种半导体装置,包含:基板(1)和堆叠在该基板上之n个(n=2,3…)半导体晶片(2,3,4),其中该半导体晶片中第i个(i=2,……,n)晶片大于直接在该第i个半导体晶片下方之该半导体晶片第i-1个晶片。23.如申请专利范围第22项之装置,其中还包含介于该第i个半导体晶片和该第i-l个半导体晶片之间之黏着层(2a)。24.如申请专利范围第23项之装置,其中还包含于连接在该第i-1个半导体晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之薄部分(203)。25.如申请专利范围第23项之装置,其中还包含连接在该第i-1个半导体晶片和该基板之间之焊接线(6或7),及该黏着层具有封装该焊接线之凹槽部分。26.如申请专利范围第22项之装置,其中还包含黏贴在该第i个半导体晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该第i-1个半导体晶片。27.如申请专利范围第23项之装置,其中还包含黏贴在该第i个半导体晶片周边之补强部分(202),该补强部分并不相对于该第i-1个半导体晶片,该补强部分之材料系和该黏着层的材料相同。28.如申请专利范围第27项之装置,其中该补强部分比该黏着层厚。图式简单说明:第1图为习知技术之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置之横截面图;第2图为根据本发明之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置第一实施例之横截面图;第3A,3B和3C图为用以说明第2图之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置之制造方法的横截面图;第4图为第3B和3C图之热塑性黏着层的部分分割透视图;第5A和5B图为用以说明与习知技术相较之本发明第一实施例施行之横截面图;第6图为第2图之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置修正例的横截面图;第7图为第4图之热塑性黏着层修正例的部分分割透视图;第8图为根据本发明之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置第二实施例之横截面图;第9A和9B图为用以说明第8图之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置之制造方法的横截面图;第10图为根据本发明之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置第三实施例之横截面图;及第11A和11B图为用以说明第10图之堆叠晶片尺寸封装型半导体装置之制造方法的横截面图。 |
