| 主权项 |
1.一种半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其步骤包括:提供一至少一表面具有复数个电性连接垫之封装基板,于该基板之表面覆盖一导电膜;于该导电膜上形成一光阻层,并使该光阻层形成复数个开孔以显露电性连接垫表面之导电膜;移除未被该光阻层所覆盖之导电膜,使该电性连接垫可显露于该光阻层之开孔;对该封装基板进行电镀,使该电性连接垫外露表面电镀有金属层;以及移除该光阻层及其所覆盖之导电膜。2.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该封装基板为一覆晶式封装基板。3.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该封装基板为一打线式封装基板。4.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该电性连接垫可为凸块焊垫。5.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该电性连接垫可为焊球垫。6.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该电镀金属层可为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛、镍/金、钯/金及镍/钯/金所构成之群组之金属所形成。7.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该导电膜可选自铜、锡、镍、铬、钛、铜-铬合金及锡-铅合金所构成之群组之金属所形成。8.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该导电膜可以溅镀(Sputter)、无电镀(Electroless plating)或物理、化学沉积(Deposition)之任一者方式形成。9.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该光阻层可为一乾膜。10.如申请专利范围第1项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该光阻层可为一液态光阻。11.一种半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其步骤包括:提供一至少一表面具有复数个电性连接垫之封装基板,于该基板之表面覆盖一导电膜;于该导电膜上形成一光阻层,并使该光阻层形成复数个开孔以显露电性连接垫表面之导电膜;移除未被该光阻层所覆盖之导电膜,使该电性连接垫可显露于该光阻层之开孔;对该封装基板进行电镀,使该电性连接垫外露表面电镀有金属层;移除该光阻层及其所覆盖之导电膜;以及再于该封装基板表面形成一拒焊层,并使该拒焊层具有复数个开孔以显露已完成电镀金属层之电性连接垫。12.如申请专利范围第11项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该拒焊层可为一绿漆。13.如申请专利范围第11项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该拒焊层之开孔孔径可大于电性连接垫之大小。14.如申请专利范围第11项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之制作方法,其中,该拒焊层之开孔孔径可小于电性连接垫之大小。15.一种半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,主要系于封装基板之至少一表面形成有复数个电性连接垫,该复数电性连接垫电镀有金属层,该封装基板表面覆有一层拒焊层,拒焊层具有复数个开孔以显露电镀有金属层之电性连接垫,其中至少有一电性连接垫并未与任何电镀导线相连通。16.如申请专利范围第15项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,其中,该拒焊层之开孔孔径可大于电性连接垫之大小。17.如申请专利范围第15项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,其中,该拒焊层之开孔孔径可小于电性连接垫之大小。18.如申请专利范围第15项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,其中,该电性连接垫可为凸块焊垫。19.如申请专利范围第15项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,其中,该电性连接垫可为焊球垫。20.如申请专利范围第15项之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层,其中,该电镀金属层可为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛、镍/金、钯/金或镍/钯/金所构成之群组之金属所形成。图式简单说明:第1图系为习知封装基板之电性连接垫电镀有镍/金金属层之剖面示意图;第2A至2D图系为另一习知封装基板之电性连接垫电镀镍/金制程之剖面示意图;第3图系本发明之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层之剖面示意图;以及第4A图至4H图系本发明之半导体封装基板电性连接垫电镀金属层制作方法之剖面示意图。 |
