| 主权项 |
1.一种于离位特征化植入于基质中至少一物质之剂量之方法,其特征为包括以下步骤:退火步骤用以造成此等植入于基质中之物质起泡;取得基质表面影像之步骤;以及影像处理步骤;可由影像处理步骤导出植入剂量特征。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该植入剂量之特征为定量特征。3.如申请专利范围第2项之方法,其中在影像处理步骤期间,分析此等浮泡之密度与大小。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在影像处理步骤期间,计算浮泡面积。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中在退火与取得影像步骤之前,测定浮泡之密度作为植入剂量之函数。6.如申请专利范围第5项之方法,其中所植入剂量之测量是由浮泡密度参数导出。7.如申请专利范围第6项之方法,其中使用此所植入剂量之测量以建立用于植入器之补偿因数。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中该等植入剂量特征为定性特征。9.如申请专利范围第8项之方法,其中植入剂量之包括突显在基质上所植入剂量之空间均匀性。10.如申请专利范围第1项之方法,其中在基质之不同位置上实施不同浮泡剂量,以便获得在基质表面上剂量之空间分布。11.如申请专利范围第10项之方法,其中在多个基质上实施该测量,此等基质在相同的条件下以个别不同的方向承受经历退火步骤,以便考虑到在退火步骤期间之局部温度效应。12.如申请专利范围第1到4项中任一项之方法,其中所植入之物质是氢或氦。13.如申请专利范围第1到4项中任一项之方法,其中此基质是由半导体材料制成。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该材料是单晶矽。图式简单说明:第1图显示先前被植入之相同基质表面之四个连续图式,此四个图式对应于根据本发明所实施退火的四个阶段,因此形成时间序列说明在退火期间基质表面面貌如何改变;第2图为图式显示由退火所产生浮泡之密度如何作为退火期间为函数而变化;第3图为图示其显示本发明应用之效应,其在于以根据本发明所实施植入剂量测量为基础而建立植入器补偿因数;以及第4图为图示显示在各种不同测量方向中在晶圆表面上浮泡密度之空间分布之测量的结果。 |
