| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于包含半导体晶片、搭载前述半导体晶片之晶垫部、配置于前述半导体晶片之周围之多数引脚、电性连接前述半导体晶片与前述引脚之多数金属线、密封前述半导体晶片、前述晶垫部、前述多数引脚及前述多数金属线之封装体,前述多数引脚系形成使接近于前述半导体晶片之一端部侧之间距小于位于与前述一端部侧相反侧之他端部侧之间距,在前述多数引脚之各引脚,选择地设置由前述封装体之背面向外部突出之端子者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述端子系使前述引脚之一部分由前述封装体之背面向外部突出者。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述端子系由异于前述引脚之导电材料所构成者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述晶垫部之背面系由前述封装体之背面露出于外部者。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述端子系沿着前述封装体之各边以锯齿状各配置2行者。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述多数引脚中,将前述端子配置在接近于一端部侧之一方之引脚之宽系宽于将前述端子配置在接近于他端部侧之一方之引脚之宽者。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述晶垫部之面积系小于前述半导体晶片之面积者。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述晶垫部系被多数吊脚所支持者。9.一种半导体装置,其特征在于包含半导体晶片、搭载前述半导体晶片之薄片状之晶片支持体、配置于前述半导体晶片之周围之多数引脚、电性连接前述半导体晶片与前述引脚之多数金属线、密封前述半导体晶片、前述晶片支持体、前述多数引脚及前述多数金属线之封装体,前述多数引脚系形成使接近于前述半导体晶片之一端部侧之间距小于位于与前述一端部侧相反侧之他端部侧之间距,在前述多数引脚之各引脚,电性连接由前述封装体之背面向外部突出之端子者。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中前述晶片支持体系被前述多数引脚所支持者。11.一种半导体装置之制造方法,其特征在于制造半导体装置,其系包含半导体晶片、搭载前述半导体晶片之晶垫部、配置于前述半导体晶片之周围之多数引脚、电性连接前述半导体晶片与前述引脚之多数金属线、密封前述半导体晶片、前述晶垫部、前述多数引脚及前述多数金属线之封装体者;且包含(a)反覆形成含前述晶垫部与前述多数引脚之图案,并准备在前述多数引脚之各引脚之一面形成向垂直于前述一面之方向突出之端子之引脚框之工序;(b)在形成于前述引脚框之前述多数晶垫部之各晶垫部搭截半导体晶片,利用金属线连接前述半导体晶片与前述引脚之一部分之工序;(c)准备含上模与下模之模具,以树脂薄片包覆前述下模之表面后,将前述引脚框载置于前述树脂薄片上,而使形成于前述引脚之一面之前述端子与前述树脂薄片相接触之工序;(d)以前述上模与前述下模夹定前述树脂薄片及前述引脚框,并使前述端子之前端部分嵌入前述树脂薄片内之工序;(e)将树脂注入前述上模与前述下模之间隙,藉以密封前述半导体晶片、前述晶垫部、前述引脚及前述金属线,同时形成使前述端子之前端部分突出外侧之多数封装体后,由前述模具取出前述引脚框之工序;及(f)利用切割前述引脚框而将前述多数封装体分离成独立个体之工序者。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述(a)工序系包含以光阻掩罩包覆金属板之一部分,利用蚀刻未被前述光阻掩罩包覆之区域之金属板,以形成前述多数引脚、前述晶垫部及前述端子之工序者。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中前述多数引脚系利用将前述金属板施以半蚀刻所形成者。14.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述多数引脚系形成在前述晶垫部侧之间距小于在位于与前述晶垫部相反侧之端部之间距者。15.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述(a)工序所形成之前述端子为假端子,且进一步包含在前述(e)工序后,除去前述假端子之工序;及在除去前述假端子之区域之前述引脚之一面,形成前端部分突出于前述封装体之外侧之端子之工序者。16.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中在前述(a)工序中蚀刻前述金属板之际,不蚀刻形成前述晶垫部之区域之前述金属板者。17.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中在前述(a)工序中蚀刻前述金属板之际,不蚀刻在前述(d)工序中接触于前述模具之区域之前述金属板者。18.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中在前述引脚框之外框设有缝隙者。19.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述端子系沿着前述封装体之各边以锯齿状各配置2行者。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中前述多数引脚中,将前述端子配置在接近于前述晶垫部之一方之引脚之宽系宽于将前述端子配置在离开前述晶垫部之一方之引脚之宽者。21.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中在前述(b)工序中支持前述引脚框之模具系在与前述端子之前端相对向之处设有沟者。22.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中在前述(c)工序中使用之前述模具系构成使前述上模接触于前述引脚框之外框部分及前述引脚之连接部分,并将其外之区域利用作为注入前述树脂之模腔之构造者。23.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述多数引脚之前述一端部侧之长度交互有差异者。24.如申请专利范围第23项之半导体装置,其中形成于前述半导体晶片之主面之焊接垫系沿着前述半导体晶片之边以锯齿状各配置2行者。25.如申请专利范围第1或9项之半导体装置,其中前述多数引脚之前述一端部侧系向前述封装体之厚度方向被弯折者。26.如申请专利范围第1或9项之半导体装置,其中前述端子之直径系大于前述引脚之宽者。27.如申请专利范围第1或9项之半导体装置,其中前述端子之直径系相同于前述引脚之宽者。28.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中前述晶片支持体系加热涂布器者。图式简单说明:图1系表示本发明之一实施形态之半导体装置之外观(表面侧)之平面图。图2系表示本发明之一实施形态之半导体装置之外观(背面侧)之平面图。图3系表示本发明之一实施形态之半导体装置之内部构造(表面侧)之平面图。图4系表示本发明之一实施形态之半导体装置之内部构造(背面侧)之平面图。图5系本发明之一实施形态之半导体装置之剖面图。图6系使用于本发明之一实施形态之半导体装置之制造之引脚框之全体平面图。图7系图6所示之引脚框之制造方法之要部剖面图。图8系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图9系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部剖面图。图10系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图11系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部剖面图。图12系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框及模具之要部剖面图。图13系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框及模具之要部剖面图。图14系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图15系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框及模具之要部剖面图。图16系表示使用于本发明之一实施形态之半导体装置之制造之模具之上模接触于引脚框之部分之平面图。图17系表示使用于本发明之一实施形态之半导体装置之制造之模具之浇口位置与注入于模腔之树脂之流动方向之模式的平面图。图18系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之全体平面图(表面侧)。图19系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之剖面图。图20系表示本发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之全体平面图(背面侧)。图21系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造之引脚框之要部平面图。图22系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造之引脚框之要部剖面图。图23系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造之引脚框之制造方法之要部剖面图。图24系表示使用图21及图22所示之引脚框之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图25系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图26(a)~(e)系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图27(a)、(b)系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图28(a)、(b)系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图29系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图30系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图31系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图32系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图33系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部剖面图。图34系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图35系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图36系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图37系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之内部构造(表面侧)之平面图。图38系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之说明图。图39系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图40系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图41系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图42(a)~(e)系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之要部平面图。图43系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。图44系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图45系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图46系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图47系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图48系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图49系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图50(a)、(b)系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图51系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图52系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之外观(背面侧)之平面图。图53系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图54系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图55系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之引脚框之要部平面图。图56系表示使用于本发明之另一实施形态之半导体装置之制造之引脚框之要部平面图。图57系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之剖面图。图58系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之内部构造(背面侧)之平面图。图59系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之模具之要部剖面图。图60(a)、(b)系由模具取出之封装体之局部放大剖面图。图61系表示本发明之另一实施形态之半导体装置之制造方法之剖面图。 |
