| 主权项 |
1.一种形成中间低压力叠层陶瓷装置的方法,包含下列步骤:提供复数个各含有陶瓷微粒在一有机黏结剂中之未烧制陶瓷材料层;在该复数个未烧制陶瓷材料层的每一个之一表面上沈积一高分子介面层,该高分子介面层具有一可使该高分子介面层在一使该复数个未烧制陶瓷层实质上变形必须的温度低的温度下流动之玻璃转换温度;堆叠该复数个未烧制陶瓷材料层成层叠关系以形成一具有一安置在堆叠中之邻接的未烧制陶瓷层之间的高分子介面层之堆叠;加热该堆叠至一比该高分子介面层之该玻璃转换温度高的温度;以及施加一低于1200 psi的压力至该加热的堆叠以将该堆叠中之复数层固定地黏结在一起。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该沈积该高分子介面层的步骤包含以一高分子溶液的型式沈积该介面层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该以一高分子溶液的型式沈积该介面层的步骤包含沈积一聚(2-乙基-2-恶唑)(poly(2-ethyl-2-oxazoline))的水溶液。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该沈积一聚(2-乙基-2-恶唑)的水溶液的步骤包含添加一介面活性剂至该水溶液。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该沈积该高分子介面层的步骤包含利用一卷带转印制程来沈积该介面层。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该利用一卷带转印制程来沈积该介面层的步骤包含沈积一层聚(2-乙基-2-恶唑)。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该沈积该层聚(2-乙基-2-恶唑)的步骤包含的步骤为提供一含有该聚(2-乙基-2-恶唑)层和一里衬层之转印卷带,安置该聚(2-乙基-2-恶唑)层之一暴露的表面使与该未烧制陶瓷材料层之一的一表面接触,在加热至大于66℃时施加压力,并且在该聚(2-乙基-2-恶唑)层附着在该未烧制陶瓷材料层之一的该表面的情况下移除该里衬层。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该施加该压力至该加热的堆叠以将该堆叠中之复数层固定地黏结在一起的步骤包含施加充足的压力以在该复数层内之该有机黏结剂和该高分子介面层之间产生氢键结。9.一种形成低压力叠层中间陶瓷装置的方法,包含下列步骤:提供复数个每一个都含有陶瓷微粒在一有机黏结剂中之未烧制陶瓷材料层;在该复数个未烧制陶瓷材料层的每一个之一表面上沈积一高分子介面层,该高分子介面层包含一具有一范围在50℃至80℃内之玻璃转换温度之聚(2-乙基-2-恶唑)之水溶液;堆叠该复数个未烧制陶瓷材料层成层叠关系以形成一具有一安置在堆叠中之邻接的未烧制陶瓷层之间的高分子介面层之堆叠;加热该堆叠至一比该高分子介面层之该玻璃转换温度高的温度;以及施加一范围在500 psi至1200 psi的压力至该加热的堆叠以将该堆叠中之该复数层固定地黏结在一起。10.一种低压力叠层中间陶瓷装置,包含:复数个各含有陶瓷微粒在一有机黏结剂中之未烧制陶瓷材料层,该复数层被堆叠成层叠关系;一高分子介面层被安置在该堆叠的层叠关系中之邻接的未烧制陶瓷层之间;以及该高分子介面层具有一可使该高分子介面层在一使该复数个未烧制陶瓷层实质上变形必须的温度低的温度下流动之玻璃转换温度并且该复数层在一高于该玻璃转换温度的温度及一低于每平方英寸1200磅(pounds-per-square-inch)的压力下被黏结。图式简单说明:图1系根据本发明之一组合制程中之一些步骤之简化示图;图2.3和4系一用来施加一介面层之另一制程中之连续步骤之简化剖面图;图5.6.和7系用来施加一介面层之其他方法和设备之简化图示;图8系一简化剖面图表示根据本发明之黏结之前之生陶瓷薄片堆叠;图9系一简化剖面图表示根据本发明之黏结之后之生陶瓷薄片堆叠;图10系一生陶瓷薄片堆叠之顶平面示图说明根据本发明之可以被形成在该堆叠内之典型的孔洞;图11系一如从图10中的11-11线所见的剖面图;以及图12说明图1之一放大部分。 |
