| 主权项 |
1.一种用于动态自适应偏移之方法,包括:不须分析资料内容即能侦测传输驱动器所传输接收资料之功率位准;及至少部分基于侦测之功率位准自适应用于传输驱动器之累积偏移位准,以利该传输驱动器传输接收之资料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中侦测功率位准包括:接收来自传输驱动器表示接收资料之电位之指令。3.如申请专利范围第2项之方法,其中自适应累积偏移位准包括:决定接收之指令是否为高功率情况;及增加用于传输驱动器之累积偏移位准,以利高功率情况下之资料传输。4.如申请专利范围第3项之方法,其中高功率情况系一基线漫游情况。5.如申请专利范围第3项之方法,其决定包括:比较接收指令之电位与参考电位。6.如申请专利范围第3项之方法,其中增加累积偏移位准包括:补充静态偏移位准,使其具有依据传输驱动器传来之指令所选择之动态偏移位准。7.如申请专利范围第6项之方法,其中动态偏移位准仅用于促进传输通过高功率情况之需。8.一种机器可存取储存媒介,包括复数可执行指令,该等复数可执行指令在执行时使机器如申请专利范围第1项之方法实施。9.一种用于动态自适应偏移之装置,包括:一传输驱动器,以提供传输接收资料组之功率指令,而不须分析其资料内容;及一自适应偏移模组,耦合传输驱动器,并至少部分基于接收之指令调整用于传输驱动器之偏移位准,以利传输接收之资料。10.如申请专利范围第9项之装置,该自适应偏移模组包括:一跨传导电池,接收偏移电压并将之转换成输出电流以驱动传输驱动器,以利传输接收之资料;及一门限値侦测器,耦合跨传导电池以接收来自传输驱动器之指令并侦测超过门限値之指令,该门限値侦测器即提供补充电压至跨传导电池以增加输出电流。11.如申请专利范围第10项之装置,该跨传导电池包括:一A级放大器,视接收来自门限値侦测器之补充电压而定,暂时增加提供超过A级所定之输出电流。12.如申请专利范围第10项之装置,该门限値侦测器包括:一参考电流来源,以控制门限値侦测器;一电晶体驱动器,该电晶体驱动器经由其源极耦合参考电流源以及经由其闸极耦合传输驱动器;及一二极体,在电晶体源极端耦合每一电流源及电晶体驱动器。13.如申请专利范围第12项之装置,其中该电晶体驱动器经由其闸极接收来自传输驱动器之指令,且在该指令系传输驱动器之一项高功率传输情况时,使电晶体驱动器急需电流,从而增加电压输入至二极体,直到补充电压达到门限値而从二极体输出至跨传导电池为止。14.如申请专利范围第9项之装置,尚包括:一耦合跨传导电池及门限値侦测器之偏移方块,使跨传导电池具有偏移电压以及使门限値侦测器具有参考电流源。15.如申请专利范围第14项之装置,尚包括:一耦合偏移方块之控制模组,并至少部分基于接收之感应度控制讯号以控制偏移方块产生之参考电流振幅。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该参考电流为37.5A、50A、62.5A及350A其中之一。17.如申请专利范围第9项之装置,其中该装置系一网路介面装置。18.如申请专利范围第9项之装置,其中该装置系一无线通讯装置。19.一种机器可存取储存媒介,包括:复数可执行指令,该等复数可执行指令在执行时引发存取机器施作自适应偏移模组,该自适应偏移模组包括一耦合门限値侦测器之跨传导电池,该门限値侦测器至少部分基于传输驱动器传输接收之资料选择性补充一用于跨传导电池之偏移电压,以驱动耦合之传输驱动器,该补充电压暂时增加用于传输驱动器之电压,以利传输接收之资料。20.如申请专利范围第19项之机器可存取储存媒介,其中该等复数可执行指令系超高速积体硬体描述语言(VHDL)之指令。图式简单说明:图1为一传统网路介面装置之方块图,包括一静态偏移传输模组;图2系图示说明直流电偏移在高功率情形之传输讯号特性;图3为一符合本发明主旨之结合动态自适应偏移模组之例示传输模组方块图;图4为一符合本发明一项例示施作之动态自适应偏移模组原理图;图5为一符合本发明一项具体实施例之网路介面装置线路驱动器之控制方法流程图;图6为一符合本发明一项主旨之侦测网路介面装置高功率情形之控制方法流程图;图7为一包络侦测器输出入与自适应偏移模组产生之共同模式电流其间关系之图示说明;及图8为一符合本发明另一项具体实施例之例示储存媒介图示说明,该储存媒介包括复数指令,而该等复数指令于执行时使执行机器实施本发明。 |
