发明名称 切削工具用硬质皮膜,被覆硬质皮膜之切削工具,硬质皮膜之制造方法及形成硬质皮膜用标靶
摘要 一种切削工具用硬质皮膜,系由(Til-a-b-c-d, Ala,Crb,Sic,Bd)(Cl-eNe)构成的硬质皮膜,其中,0.5≦a≦0.8、0.06≦b、0≦ c≦0.1、0≦d≦0.1、0≦c+d≦0.1、a+b+c+d<1、0.5≦e≦1其中,a、b、c、 d分别表示Al、Cr、Si、B的原子比,e表示N的原子比。另外,本发明还提供了用该切削工具用被覆硬质皮膜的切削工具,该切削工具用硬质皮膜的制造方法以及形成硬质皮膜用靶。采用本发明能够提供可高速.高效率切削的,耐磨损性比TiAlN优良的切削工具用硬质皮膜,用于得到这种硬质皮膜的有用的制造方法,以及可以经由该制造方法有效地得到本发明的切削工具用硬质皮膜的靶。
申请公布号 TW570989 申请公布日期 2004.01.11
申请号 TW090132069 申请日期 2001.12.24
申请人 神户制钢所股份有限公司 发明人 山本兼司;佐藤俊树;森川恭臣;花栗孝次;高原一树
分类号 C23C14/06 主分类号 C23C14/06
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种切削工具用硬质皮膜,其为由(Ti1-a-b-c-d,A1a,Crb,Sic,Bd)(C1-eNe)所构成的硬质皮膜,其特征为,0.5≦a≦0.8.0.06≦b、0≦c≦0.1.0≦d≦0.1.0≦c+d≦0.1.a+b+c+d<1.0.5≦e≦1(其中,a、b、c、d分别表示A1.Cr、Si、B的原子比,e表示N的原子比,以下皆同)。2.如申请专利范围第1项之切削工具用硬质皮膜,其中,该c値超过0。3.如申请专利范围第1项之切削工具用硬质皮膜,其中,该a、b的値为0.02≦1-a-b≦0.30.0.55≦a≦0.765.0.06≦b或者0.02≦1-a-b≦0.175.0.765≦a、4(a-0.75)≦b。4.如申请专利范围第3项之切削工具用硬质皮膜,其中,该(c+d)的値为0。5.如申请专利范围第1~4项中任一项之切削工具用硬质皮膜,其中,该e値为1。6.如申请专利范围第1~4项中任一项之切削工具用硬质皮膜,其中,晶体结构以岩盐结构型为主体。7.如申请专利范围第1~4项中任一项之切削工具用硬质皮膜,其中,采用-2法的X射线绕射测定的岩盐结构型之(111)面、(200)面及(220)面的绕射线强度分别为I(111)、I(200)与I(220)时,这些数値满足下述式(1)及/或式(2)与式(3)I(220)≦I(111) …(1)I(220)≦I(200) …(2)I(200)/I(111)≧0.1 …(3)。8.如申请专利范围第1~4项中任一项之切削工具用硬质皮膜,其中,使用Cu的K线之-2法中X射线绕射测定的岩盐结构型(111)面之绕射线其绕射角度在36.5~38.0范围内。9.如申请专利范围第8项之切削工具用硬质皮膜,其中,该(111)面的绕射线的半光谱幅値在1以下。10.一种被覆硬质皮膜的切削工具,其特征为,申请专利范围第1~9项中任一项之切削工具用硬质皮膜经覆盖者。11.一种切削工具用硬质皮膜的制造方法,其为申请专利范围第1~9项中任一项之切削工具用硬质皮膜的制造方法,其特征为,在成膜气体环境中,蒸发金属,使之离子化
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