| 主权项 |
1.一种光电装置,属于具有对向配置之第1基板及第 2基板,于该第1基板和该第2基板之间,挟持有液晶 所成之光电装置中,其特征系具有 包围前述液晶之密封材, 和沿前述第1基板之一边,且朝向与该一边交叉的 另一边迂回围绕之配线; 该配线系具有跨越前述密封材之内侧范围及前述 密封材之外侧范围之两者加以形成,或跨越重叠于 前述密封材之范围及前述密封材之外侧范围之两 者加以形成的第1配线层, 和形成于前述密封材之内侧范围或重叠于前述密 封材之范围的第2配线者。2.如申请专利范围第1项 之光电装置,其中,在于前述密封材之外侧范围的 前述配线之一端系连接于外部连接电路。3.如申 请专利范围第1项或第2项之光电装置,其中,更具有 形成于前述第2基板之电极,该电极系与前述第1基 板上之前述配线导通者。4.一种光电装置,其特征 系具有 第1基板, 和沿该第1基板之一边,且朝向与该一边交叉的另 一边迂回围绕之配线; 该配线系具有形成于前述第1基板上之第1配线层, 和于该第1配线层之上,部分堆积之第2配线层, 和被覆该第2配线层之被覆层者。5.如申请专利范 围第1项或第2项之光电装置,其中,具备于前述第1 基板之上,经由堆积第1金属膜和绝缘膜和第2金属 膜加以形成之薄膜二极体; 第1配线层系经由与前述第1金属膜同一之层加以 形成者。6.如申请专利范围第1项或第2项之光电装 置,其中,第2配线层系经由与前述第2金属膜同一之 层加以形成者。7.如申请专利范围第1项或第2项之 光电装置,其中,具备于前述第1基板之上,经由堆积 第1金属膜和绝缘膜和第2金属膜加以形成之薄膜 二极体; 前述第2配线层系经由与前述第2金属膜同一之层 加以形成者。8.如申请专利范围第1项或第2项之光 电装置,其中,具有于前述第1基板之上,经由堆积第 1金属膜和绝缘膜和第2金属膜加以形成之薄膜二 极体, 和连接于该薄膜二极体之第2金属膜的画素电极; 前述配线系具有跨越前述密封材之内侧范围及前 述密封材之外侧范围之两者加以形成,或跨越重叠 于前述密封材之范围及前述密封材之外侧范围之 两者,形成于前述第1配线层上的第3配线层; 该第3配线层系经由与前述画素电极同一之层加以 形成者。9.如申请专利范围第1项或第2项之光电装 置,其中,具有形成于前述第2基板之配线,前述第1 基板上之配线系导通于前述第2基板上之配线者。 10.如申请专利范围第9项之光电装置,其中,前述第1 基板上之配线和前述第2基板上之配线系藉由分散 于前述密封材的导电粒子导通者。11.如申请专利 范围第1项或第2项之光电装置,其中,构成前述第1 基板上之前述配线的前述第2配线层,系较构成该 配线之其他之配线层离子代倾向为高者。12.如申 请专利范围第1项或第2项之光电装置,其中,构成前 述第1基板上之前述配线的前述第2配线层,系较构 成该配线之其他之配线层阻抗値为低者。13.如申 请专利范围第1项或第2项之光电装置,其中,形成于 前述第1基板上之配线中,形成于前述密封材之外 侧范围之部分的宽度系较形成于与前述密封材重 叠之范围部分的宽度为宽者。14.一种电子机器,其 特征系具有申请专利范围第1项至第13项之任一项 之光电装置。15.一种光电装置之制造方法,属于藉 由密封材所贴合之第1基板和第2基板间,具有液晶, 跨过前述第1基板中重叠于前述密封材之范围和该 密封材之外侧之范围之两者,形成配线之液晶装置 之制造方法中,其特征系具有 将构成前述配线之第1配线层,形成于跨过前述第1 基板中重叠于前述密封材之范围和该密封材之外 侧之范围之第1配线层形成工程, 和将构成前述配线之第2配线层,形成于前述第1基 板中重叠于前述密封材的范围之第2配线层形成工 程, 和将前述第1基板及第2基板藉由前述密封材贴合 之接合工程。16.如申请专利范围第15项之光电装 置之制造方法,其中,前述光电装置系具备于前述 第1基板上,经由堆积第1金属膜和绝缘膜和第2金属 膜所形成之复数之薄膜二极体; 于前述第1配线层形成工程中,伴随前述薄膜二极 体之第1金属膜之形成,藉由与该第1金属膜之同一 层形成前述第1配线层, 于前述第2配线层形成工程中,伴随前述薄膜二极 体之第2金属膜之形成,藉由与该第2金属膜之同一 层形成前述第2配线层者。17.如申请专利范围第16 项之光电装置之制造方法,其中,前述光电装置系 具备形成于前述第1基板之面上,连接于前述薄膜 二极体之第2金属膜的画素电极; 在前述接合工程之前,具有将构成前述配线之第3 配线层,跨过前述第1基板中重叠于前述密封材之 范围和该密封材之外侧范围加以形成之工程中,伴 随前述画素电极之形成,藉由与该画素电极之同一 层形成前述第3配线层的第3配线层形成工程者。 图式简单说明: 【图1】 可实施本发明之光电装置之一例的液晶装置中,尤 其显示使用TFD元件之主动矩阵方式之液晶装置之 电气性构成的等价电路图。 【图2】 显示将本发明实施于光电装置之一例的液晶装置 时之实施形态,(a)系自观察侧所见之液晶装置之斜 视图,(b)系自背面侧所见之液晶装置之斜视图。 【图3】 显示根据图2(a)之C-C'线之液晶装置之截面构造的 截面图。 【图4】 显示图2(a)所示液晶装置之显示范围内之构成的斜 视图。 【图5】 (a)系显示图4之1个画素电极及1个之TFD元件的平面 图,(b)系根据(a)之E-E'线的截面图,(c)系根据(a)之F-F' 线的截面图。 【图6】 图2(a)所示之液晶装置之平面截面图。 【图7】 根据图6之G-G'线的截面图。 【图8】 (a)系显示图6中扩大以箭头P所示部分的平面图,(b) 系根据(a)之H-H'线的截面图,(c)系根据(a)之I-I'线的 截面图,(d)系根据(a)之J-J'线的截面图。 【图9】 有关本发明之光电装置之制造方法之一实施形态 中,将关于TFD元件之制造方法,依工程顺序加以显 示之图。 【图10】 显示关连于示于图9工程之工程图。 【图11】 有关本发明之光电装置之制造方法之实施形态中, 将关于绕道配线之制造方法,依工程顺序加以显示 之图。 【图12】 有关本发明之光电装置之制造方法之实施形态中, 将关于设于对向基板上之要素之制造方法,依工程 顺序加以显示之图。 【图13】 显示连接图12之工程图。 【图14】 显示将本发明实施于光电装置之一例的液晶装置 时之其他之实施形态的平面截面图。 【图15】 将本发明显示实施于光电装置之一侧的液晶装置 时之其他实施形态的平面断面图。 【图16】 有关于本发明之电子机器之实施形态,(a)系显示电 子机器之一例的个人电脑之斜视图,(b)系显示电子 机器之另一例的携带型电话之斜视图。 【图17】 将本发明实施于光电装置之一例的EL装置时之一 实施形态的平面截面图。 【图18】 根据图17之K-K'线,显示EL装置之截面构造的截面图 。 【图19】 于图17,扩大显示以箭头L所示显示点部分之平面图 。 【图20】 对应于图19之构造之电气性等价电路图。 【图21】 根据图19之M-M'线,显示TFT之截面构造的截面图。 |
