| 主权项 |
1.一种光照射装置,适用于光动力治疗,包括: 一主体; 一高功率发光元件,设置于该主体之上,系用以发 射出一光线; 一光学透镜组,邻接于该高功率发光元件,并设置 于该主体之上,其中,该光学透镜组系接收来自该 高功率发光元件之该光线;以及 一多模光纤,具有一输入端以及一输出端,其中,该 输入端系耦合于该光学透镜组,用以接收并传送来 自该光学透镜组之该光线。2.如申请专利范围第1 项所述之光照射装置,其中,该高功率发光元件系 一高功率半导体发光二极体。3.如申请专利范围 第1项所述之光照射装置,更包括一反射镜,设置于 该高功率发光元件之一侧,系用以反射该高功率发 光元件所发射出之该光线。4.如申请专利范围第1 项所述之光照射装置,其中,该光学透镜组更具有 一第一聚焦透镜以及一第二聚焦透镜,该第一聚焦 透镜系邻接于该高功率发光元件,该第二聚焦透镜 系邻接于该第一聚焦透镜。5.如申请专利范围第4 项所述之光照射装置,其中,该光学透镜组更具有 一第一凸透镜,邻接于该第二聚焦透镜,系用以增 大该多模光纤之收光范围。6.如申请专利范围第4 项所述之光照射装置,其中,该第一聚焦透镜以及 该第二聚焦透镜系非球面聚焦透镜。7.如申请专 利范围第5项所述之光照射装置,其中,该第一凸透 镜系一半球形透镜。8.如申请专利范围第1项所述 之光照射装置,更包括一第二凸透镜,耦合于该多 模光纤之该输出端,系用以聚集从该多模光纤所传 送出之该光线。9.如申请专利范围第8项所述之光 照射装置,其中,该第二凸透镜系一球面透镜。10. 如申请专利范围第1项所述之光照射装置,更包括 一散热器,设置于该主体之上。11.如申请专利范围 第1项所述之光照射装置,其中,该高功率发光元件 更包括: 一第一导电架; 一第二导电架,与该第一导电架平行设置; 一高功率半导体发光二极体晶粒,设置于该第一导 电架之上,并藉由一导线而与该第二导电架连接; 以及 一封装体,包覆该高功率半导体发光二极体晶粒、 该第一导电架以及该第二导电架。12.如申请专利 范围第11项所述之光照射装置,其中,该高功率半导 体发光二极体晶粒系设置于该第一导电架与该第 二导电架之间。13.如申请专利范围第11项所述之 光照射装置,其中,该第一导电架的系由铜、铁、 铜合金及铁合金所制成。14.如申请专利范围第11 项所述之光照射装置,其中,该高功率发光元件更 具有一导电黏接层,形成于该第一导电架与该高功 率半导体发光二极体晶粒之间。15.如申请专利范 围第14项所述之光照射装置,其中,该导电黏接层系 为银层、金层、铝层、镍层、锡层铅层或其混合 合金层。16.如申请专利范围第11项所述之光照射 装置,其中,该封装体系环氧化合物、二氧化矽混 合物或其他胶体。17.如申请专利范围第1项所述之 光照射装置,其中,该高功率发光元件更包括: 一印刷电路板,具有一导电电路以及一反射侧壁, 该反射侧壁系位于该导电电路之上,其中,该导电 电路系以外加或直接蚀刻方式而成形; 一高功率半导体发光二极体晶粒,设置于该印刷电 路板之上,并与该印刷电路板之该导电电路连接; 以及 一封装体,包覆该高功率半导体发光二极体晶粒以 及该印刷电路板。18.如申请专利范围第17项所述 之光照射装置,其中,该封装体系环氧化合物、二 氧化矽混合物或其他胶体。19.如申请专利范围第1 项所述之光照射装置,其中,该高功率发光元件更 包括: 一晶片,具有一导电电路以及一反射侧壁,该反射 侧壁系位于该导电电路之上,其中,该导电电路系 由晶片直接蚀刻而成; 一高功率半导体发光二极体晶粒,设置于该晶片之 上,并与该晶片之该导电电路连接;以及 一封装体,包覆该高功率半导体发光二极体晶粒以 及该晶片。20.如申请专利范围第19项所述之光照 射装置,其中,该封装体系环氧化合物、二氧化矽 混合物或其他胶体。图式简单说明: 第1图系显示本发明之第一个实施例之光照射装置 之示意图; 第2图系显示本发明之第二个实施例之光照射装置 之示意图; 第3图系显示本发明之第三个实施例之光照射装置 之示意图; 第4图系概要地显示使用于本发明之光照射装置之 另一种高功率发光元件;以及 第5图系概要地显示使用于本发明之光照射装置之 另一种高功率发光元件。 |
