高频电源装置之电压限制保护

摘要

本发明提供一种RF电源装置，其在第一半导体晶片上制造一功率电晶体及在第二半导体晶片上制造一MOSCAP型结构。电压限制装置系提供以保护该功率电晶体避免受到输入电压尖波的破坏，并且较佳的系与MOSCAP一起制造于该半导体晶片中。或者，该电压限制装置可能系制造于该电容器半导体晶片之上或邻近位置的分离元件。将该电压限制装置从该功率电晶体晶片移除，便可改善该电压限制装置的制造及测试，增加该电源装置的半导体面积，以及提高装置制造的弹性。

主权项

1.一种供高频应用之功率电晶体装置,其包括: a)一第一分离半导体晶片中的一功率电晶体; b)一第二分离半导体晶片中的一电容器; c)一电压限制装置; d)一种用于容纳及密封该功率电晶体,电容器,及电 压限制装置的封装;及 e)电性连接器,其可将该电容器及电压限制装置连 接至该功率电晶体。2.如申请专利范围第1项之功 率电晶体装置,其中该电压限制装置系与该电容器 一起制造于该第二分离半导体晶片中。3.如申请 专利范围第1项之功率电晶体装置,其中该电压限 制装置包括一电晶体。4.如申请专利范围第1项之 功率电晶体装置,其中该电压限制装置包括一二极 体。5.如申请专利范围第1项之功率电晶体装置,其 中该电性连接器包括焊接线路。6.如申请专利范 围第1项之功率电晶体装置,其中该电容器系一 MOSCAP或其它的电容器结构。7.如申请专利范围第6 项之功率电晶体装置,其中该电压限制装置包括一 二极体。8.如申请专利范围第7项之功率电晶体装 置,其中该电性连接器包括焊接线路。9.一种为与 制造于一分离半导体晶片中的功率电晶体一起使 用之电容器结构,该电容器结构包括一分离半导体 晶片,一制造于该半导体晶片中的电容性元件,及 一制造于该半导体晶片中且与该电容器结构并联 的电压限制装置。10.如申请专利范围第9项之电容 器结构,其中该电压限制装置包括一二极体。11.如 申请专利范围第9项之电容器结构,其中该电压限 制装置包括一电晶体。12.如申请专利范围第9项之 电容器结构,其包括焊接线路用以电性连接该电容 器及该电压限制装置。13.如申请专利范围第9项之 电容器结构,其中该电容器结构包括一MOSCAP或其它 电容器结构。图式简单说明: 图1A及1B所示的系根据先前技艺之电性图及封装后 功率电晶体实体结构的平面图。 图2A及2B所示的系根据本发明具体实施例之电性图 及封装后功率电晶体装置配置的平面图。 图3所示的系根据本发明具体实施例之MOSCAP及二极 体区段的侧面图。