蚀刻组合物及其应用

摘要

一种含有约0.01至约15重量%硫酸与约0.01至约20重量%过氧化氢或约1至30ppm臭氧及约0.01至100ppm氢氟酸之含水蚀刻组合物，系有效从基材或导电性材料，且尤其是从具有铝线于其上之积体电路晶片，移除聚合体与通孔残留物。

主权项

1.一种在水溶液中之蚀刻组合物,其包含: a)约0.01至约15重量%硫酸; b)约0.1至约100ppm之含氟化合物;及 c)选自包括约0.01至约20重量%过氧化氢与约1至约30 ppm臭氧中之一种成员。2.如申请专利范围第1项之 蚀刻组合物,其中含氟化合物包括氢氟酸。3.如申 请专利范围第1项之蚀刻组合物,其包含约0.01至约 20重量%过氧化氢。4.如申请专利范围第1项之蚀刻 组合物,其包含约1至约30ppm之臭氧。5.如申请专利 范围第2项之蚀刻组含物,其包含约1至约10重量,硫 酸与约1至约10重量%过氧化氢,及约1至约50ppm之氢 氟酸。6.如申请专利范围第2项之蚀刻组合物,其包 含约5重量%硫酸、约12重量%过氧化氢及约10ppm之氢 氟酸。7.如申请专利范围第1项之蚀刻组合物,其包 含去离子水。图式简单说明: 图1为一部份半导体装置之横截面图,说明本发明 正寻求解决之一项问题。 图2为一部份半导体装置之横截面图,说明本发明 正寻求解决之一项问题。