| 主权项 |
1.一种传输型液晶显示装置,包括: 第1及第2透明电极(3,6,6');及 一扭转模式型液晶层(7),插置于该第1及第2透明电 极间,一电场,存在于该第1及第2透明电极间之该液 晶层内,当电压加于该第1及第2透明电极时,在一个 显示点内之该电场即改变,该扭转液晶层中之液晶 分子之扭转角度系大于270度,该第1及第2透明电极 之一在该显示点内具有不平坦之表面,该第1及第2 透明电极之该之一之表面之不平坦程度系大到能 抑制在该液晶层内指形组织型之定向不良的产生, 该第1及第2透明电极之该之一之深度系在该显示 点内随机地变化,该第1及第2透明电极之该之一对 于该液晶层具有多数之凸部及多数之凹部,该等凸 部系藉该等凹部而相互分隔,该第1及第2透明电极 之该之一对该液晶层具有至少一凸部及多数之凹 部,该等凹部系藉该凸部而相互分隔,该装置进一 步在该第1及第2透明电极之一于该电极层之一侧 之不平坦表面上形成一准平层(9),俾使该液晶层之 厚度约略均匀;该装置进一步包括:一平面基片(5); 及一层(8),其具有不平坦表面并系形成在该平面基 片上,该第1及第2透明电极之一系形成在该层之不 平坦表面上,藉此改善灰度显示特性。2.如申请专 利范围第1项之装置,其中该等凸部在该显示点内 系做随机配置。3.如申请专利范围第1项之装置,其 中该等凸部之高度在该显示点内系做随机改变。4 .如申请专利范围第1项之装置,其中该等凹部系随 机地配置于该显示点内。5.如申请专利范围第1项 之装置,其中该等凹部之深度系在该显示点内做随 机改变。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该准 平层系由具有介电系数不大于该液晶层之介电系 数之材料所做成。7.如申请专利范围第1项之装置, 进一步包括具有不平坦表面之基片(5'),该第1及第2 透明电极之一系形成在该基片之不平坦表面上。8 .如申请专利范围第1项之装置,进一步包括: 一平面基片(5),该第1及第2透明电极之一系形成于 该平面基片上;及 一层(8),其具有一不平坦表面,且系形成在该第1及 第2透明电极之一上。9.一种传输型液晶显示装置, 包括: 第1及第2偏光片(1,4); 第1及第2透明基片(2,5'),其系设置于该第1及第2偏 光片之间,该第1透明基片系平面,而该第2透明基片 具有不平坦之内部表面; 一第1透明电极(3),其系形成于该第1透明基片之内 部表面上; 一第2透明电极(6'),其系形成在该第2透明基片之不 平坦内部表面上;及 一扭转型液晶层(7),其系设于该第1及第2透明电极 之间,该扭转液晶层中之液晶分子之扭转角度系大 于270度,藉此改善灰度显示特性。10.一种传输型液 晶显示装置,包括: 第1及第2偏光片(1,4); 第1及第2平面透明基片(2,5'),其系位于该第1及第2 偏光片之间; 一层(8),其具有不平坦表面,且系形成于该第1平面 透明基片之内部表面上; 一第1透明电极(3),其系形成在该第1透明基片之内 部表面上; 一第2透明电极(6'),其系形成在该层(8)上;及 一扭转模式型液晶层(7),其系设于该第1及第2透明 电极之间,该扭转液晶层中之液晶分子之扭转角度 系大于270度,藉此改善灰度显示特性。11.一种反射 型液晶显示装置,包括: 第1及第2电极(3,6,6'), 该第一及第二电极之一系透明,该第一及第二电极 之另一系不透明;及 一扭转模式型液晶层(7),插置于该第1及第2电极间, 一电场,存在于该第1及第2电极间之该液晶层内,当 电压加于该第1及第2电极时,在一个显示点内之该 电场即改变,该扭转液晶层中之液晶分子之扭转角 度系大于270度, 该第1及第2电极之一在该显示点内具有不平坦之 表面, 该第1及第2电极之该之一对于该液晶层具有至少 一连续凸部及多数之凹部, 该等凹部系藉该连续凹部而相互分隔,藉此改善灰 度显示特性。12.如申请专利范围第11项之装置,其 中该第1及第2电极之该之一之表面之不平坦程度 系大到能抑制在该液晶层内指形组织型之定向不 良的产生。13.如申请专利范围第11项之装置,其中 该第1及第2电极之该之一之深度系在该显示点内 随机地变化。14.如申请专利范围第11项之装置,其 中该等凹部在该显示点内系做随机配置。15.如申 请专利范围第11项之装置,其中该等凸部之高度在 该显示点内系做随机改变。16.如申请专利范围第 11项之装置,进一步在该第1及第2电极之一于该电 极层之一侧之不平坦表面上形成一准平层(9),俾使 该液晶层之厚度约略均匀。17.如申请专利范围第 11项之装置,其中该准平层系由具有介电系数不大 于该液晶层之介电系数之材料所做成。18.如申请 专利范围第11项之装置,进一步包括具有不平坦表 面之基片(5'), 该第1及第2透明电极之一系形成在该基片之不平 坦表面上。19.如申请专利范围第11项之装置,进一 步包括: 一平面基片(5);及 一层(8),其具有不平坦表面并系形成在该平面基片 上, 该第1及第2透明电极之一系形成在该层之不平坦 表面上。20.如申请专利范围第11项之装置,进一步 包括: 一平面基片(5),该第1及第2电极之一系形成于该平 面基片上;及 一层(8),其具有一不平坦表面,且系形成在该第1及 第2电极之一上。图式简单说明: 第1图系示出已往技术之传输型TN模式LCD装置之断 面图; 第2图系示出第1图之液晶层内方法缺陷的照片; 第3图系示出第1图之液晶层之电压对光之透射比 特性之图; 第4图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第1实例的 断面图; 第5图系示出第4图之液晶层的电压对光之透射比 特性之图; 第6图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第2实例的 断面图; 第7图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第3实例的 断面图; 第8图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第4实例的 断面图; 第9图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第5实例的 断面图; 第10,11,12,13及14系分别示出第4,6,7,8及9图之装置之 变更例的断面图; 第15图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第5实例的 断面图; 第16图系第15图之液晶层之透视图; 第17图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第7实例的 断面图; 第18及19图系分别为第15及17图之装置之变更例的 断面图; 第20图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第8实例的 断面图; 第21图系示出依本创作,TN模式LCD装置之第9实例的 断面图; 第22及23图系分别为第20及21图之装置之变更例的 断面图; 第24图系用于说明第4,7,10,12,15及18图之透明基片及 透明电极之制造步骤的透视图; 第25图系示出形成在第24图之透明电极上之液晶分 子之状态的照片; 第26A及26B图系用于说明第6,8,11,13,17及19图之透明 基片,层及透明电极之制造步骤的透视图; 第27图系示出形成于第26B图之透明电极上之液晶 分子之状态的照片;及 第28A及28B系用于说明第6,8,11,13,17及19图之透明基 片,层及透明电极之制造步骤的其他透视图。 |
