发明名称 CONTROL CIRCUIT FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE
摘要 FIELD: computer engineering. SUBSTANCE: proposed control circuit for nonvolatile memory devices that can be used in critical-to-surface raster memory circuits has signal level conversion circuit, input circuit, and interlocking circuit. EFFECT: enhanced stability of output control voltages even in high-voltage region. 2 cl, 5 dwg
申请公布号 RU2221286(C2) 申请公布日期 2004.01.10
申请号 RU20000100927 申请日期 1998.06.08
申请人 发明人 TSETTLER TOMAS
分类号 G11C16/06;G11C15/00;G11C16/10 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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