Nichtflüchtige Speicherzelle mit Ladungseinfangstruktur, Speicherbauelement und Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine nichtflüchtige Speicherzelle mit einem Substrat (60), in dem ein Source-Bereich (70), ein Drain-Bereich (50) und ein zwischen liegender Kanalbereich ausgebildet sind, einer Einfangstruktur, die eine Tunnelschicht (10), eine Ladungseinfangschicht (20) und eine Sperrschicht (30) umfasst, und mit einem Gate (40) sowie auf ein entsprechendes Speicherbauelement und ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist die Einfangstruktur (10, 20, 30) nur auf einem ersten Teilabschnitt des Substratgebiets zwischen Source- und Drain-Bereich (70, 50) ausgebildet, der sich vom Source- und/oder Drain-Bereich in Richtung Kanalgebiet erstreckt, und die Gateisolationsschicht (90) ist auf einem zweiten Teilabschnitt des Substratgebiets zwischen Source- und Drainbereich angeordnet, der sich neben dem ersten Teilabschnitt erstreckt. DOLLAR A Verwendung z. B. für nichtflüchtige Halbleiterspeicherbauelemente mit SONOS-Gatestruktur.