Verfahren zum Strukturieren einer Siliziumschicht sowie dessen Verwendung zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung

摘要

Zum Ätzen einer zu strukturierenden Schicht (22) wird eine Hartmaske (24) aus Polysilizium verwendet. Die Hartmaske (24) wird unter Verwendung einer Lackmaske (36) strukturiert, wobei die Ätzung der Hartmaske (24) so durchgeführt wird, daß die in die Hartmaske (24) geätzten Öffnungen (45) geneigte Seitenwände aufweisen. Dadurch verringert sich der Querschnitt der Öffnungen mit der Folge, daß in die zu strukturierende Schicht (22) kleinere Öffnungen erzeugt werden können, als mit der Lackmaske vorgegeben wurde. Die Hartmaske (24) wird lediglich mit HBr geätzt. Die Neigung der in die Hartmaske (24) geätzten Öffnungen (45) kann über die TCP-Leistung und/oder die Bias-Leistung einer TCP-Ätzkammer und/oder den HBr-Fluß eingestellt werden.