Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefgeometrien in Halbleiterstrukturen

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefgeometrien in Halbleiterstrukturen. Durch die Erfindung soll ein Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefstrukturen in Halbleiterstrukturen geschaffen werden, mit dem das Entstehen von Voids sicher vermieden werden kann und das einfach und kostengünstig realisierbar ist. Gelöst wird die Aufgabe dadurch, dass die Graben- und Reliefstrukturen in einem ersten Abscheideprozess mit einer ersten primären Füllschicht (2) mit hoher Konformität und minimaler Rauigkeit beschichtet werden, dass nachfolgend eine bis in eine vorgegebene Tiefe der Grabenstruktur gehende V-Ätzung zur Erzeugung eines V-Profils vorgenommen wird und dass eine zweite primäre Füllschicht (3) mit hoher Konformität und minimaler Rauigkeit abgeschieden wird, bis die Graben- und Reliefstruktur vollständig geschlossen ist (Fig. 1).